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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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2SK3366-Z-E1-AZ-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 2SK3366-Z-E1-AZ-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 Single-N溝道

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

2SK3366-Z-E1-AZ-VB是一款高性能的單N溝道功率MOSFET,采用TO252封裝。這款MOSFET具有30V的漏源電壓和70A的漏極電流,適用于低至中功率的應(yīng)用。其采用了Trench技術(shù),具有優(yōu)異的導(dǎo)通特性和可靠性。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: 2SK3366-Z-E1-AZ-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 9mΩ @ VGS=4.5V, 7mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 70A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理模塊**:2SK3366-Z-E1-AZ-VB適用于低至中功率的開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和LED驅(qū)動(dòng)器等電源管理模塊。其低導(dǎo)通電阻和高漏源電壓特性能夠確保模塊的高效能量轉(zhuǎn)換。

2. **電動(dòng)汽車(chē)充電樁**:這款MOSFET適用于電動(dòng)汽車(chē)充電樁中的功率轉(zhuǎn)換和控制部分,幫助提高充電效率和安全性。

3. **工業(yè)控制**:在工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中,該MOSFET可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電源供應(yīng)器和UPS系統(tǒng)等,提供可靠的功率控制和保護(hù)功能,確保設(shè)備在惡劣環(huán)境中穩(wěn)定運(yùn)行。

4. **消費(fèi)電子**:2SK3366-Z-E1-AZ-VB可用于消費(fèi)電子產(chǎn)品,如智能手機(jī)、平板電腦和數(shù)碼相機(jī)等,幫助提高設(shè)備的能效和性能。

5. **電源逆變器**:這款MOSFET可用于太陽(yáng)能逆變器和風(fēng)力發(fā)電逆變器,實(shí)現(xiàn)從直流到交流的高效能量轉(zhuǎn)換。其高漏源電壓和低導(dǎo)通電阻適合于高壓環(huán)境下的逆變器應(yīng)用。

2SK3366-Z-E1-AZ-VB的低至中功率特性使其成為許多領(lǐng)域的理想選擇,為各種電子系統(tǒng)提供可靠的功率控制和管理解決方案。

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