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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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2SK3564-VB一款Single-N溝道TO220F的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 2SK3564-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220F封裝
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**型號(hào):2SK3564-VB**

2SK3564-VB 是一款單N溝道功率MOSFET,采用TO220F封裝。它具有950V的漏源極電壓(VDS),適用于高壓應(yīng)用。采用了Plannar技術(shù),具有良好的性能和可靠性。

### 產(chǎn)品參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類(lèi)型**:TO220F
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源極電壓(VDS)**:950V
- **柵源極電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 10V柵源極電壓下為2400mΩ
- **連續(xù)漏極電流(ID)**:6A
- **技術(shù)**:Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

**1. 工業(yè)電力控制**
由于2SK3564-VB 具有高漏源極電壓和適中導(dǎo)通電阻特性,因此適用于工業(yè)電力控制領(lǐng)域。它可以用于控制工業(yè)電機(jī)、電源開(kāi)關(guān)等設(shè)備,具有良好的可靠性和性能。

**2. 高壓電源**
在高壓電源中,該MOSFET可用于開(kāi)關(guān)電源和逆變器等模塊中。其高漏源極電壓和適中導(dǎo)通電阻使其成為這些模塊中的理想元件。

**3. 醫(yī)療成像**
在醫(yī)療成像設(shè)備中,2SK3564-VB 可以用于控制X射線(xiàn)管等設(shè)備的功率開(kāi)關(guān)和控制。其高漏源極電壓和低導(dǎo)通電阻特性使其在醫(yī)療成像領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

**4. 電動(dòng)汽車(chē)充電樁**
在電動(dòng)汽車(chē)充電樁中,該MOSFET可用于控制充電樁的功率轉(zhuǎn)換和輸出。其高漏源極電壓和低導(dǎo)通電阻特性使其成為充電樁中的理想元件。

**總結(jié)**
2SK3564-VB 是一款高壓、中功率的N溝道MOSFET,適用于需要高壓和適中功率的應(yīng)用場(chǎng)景。其高漏源極電壓、適中導(dǎo)通電阻和良好的性能使其成為工業(yè)電力控制、高壓電源、醫(yī)療成像和電動(dòng)汽車(chē)充電樁等領(lǐng)域的理想選擇。

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