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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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2SK3580-01MR-VB一款Single-N溝道TO220F的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 2SK3580-01MR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220F封裝
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:2SK3580-01MR-VB MOSFET

2SK3580-01MR-VB 是一款由VBsemi生產(chǎn)的高性能單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝。該器件設(shè)計(jì)用于提供高效率和可靠性,適用于各種電力和開關(guān)應(yīng)用。2SK3580-01MR-VB 的主要特點(diǎn)包括550V的漏極-源極電壓(VDS)、±30V的柵極-源極電壓(VGS),以及18A的漏極電流(ID)。器件采用Plannar技術(shù),具有較低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和快速的開關(guān)特性,使其在中功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: 2SK3580-01MR-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 550V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 260mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 18A
- **技術(shù)**: Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源逆變器**: 由于2SK3580-01MR-VB 具有適中的漏極電壓和較低的導(dǎo)通電阻,適用于中功率的電源逆變器和開關(guān)電源中的開關(guān)器件。
 
2. **工業(yè)控制**: 在需要控制中功率設(shè)備和系統(tǒng)的工業(yè)控制應(yīng)用中,2SK3580-01MR-VB 可以用作開關(guān)元件,實(shí)現(xiàn)快速和可靠的開關(guān)操作。
 
3. **電動(dòng)汽車充電器**: 在電動(dòng)汽車充電器等中功率應(yīng)用中,2SK3580-01MR-VB 可以用于控制電能的轉(zhuǎn)換和管理,提高充電器的效率和可靠性。
 
4. **UPS系統(tǒng)**: 在需要高性能和可靠性的UPS系統(tǒng)中,2SK3580-01MR-VB 可以用作關(guān)鍵開關(guān)元件,確保系統(tǒng)的正常運(yùn)行。

綜上所述,2SK3580-01MR-VB MOSFET 適用于電源逆變器、工業(yè)控制、電動(dòng)汽車充電器和UPS系統(tǒng)等領(lǐng)域,為這些應(yīng)用提供高性能和可靠性。

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