### 產(chǎn)品簡介

**2SK3880-VB**是一款由VBsemi推出的高壓N溝道MOSFET。該器件采用TO3P封裝，適用于高壓應(yīng)用場合。具有高耐壓能力和穩(wěn)定性，適用于要求高耐壓的功率轉(zhuǎn)換電路。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**: 2SK3880-VB
- **封裝**: TO3P
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 900V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 750mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 9A
- **技術(shù)**: SJ_Multi-EPI

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源逆變器**:
  - **描述**: 由于2SK3880-VB具有高耐壓和穩(wěn)定性，適用于電源逆變器中的高壓開關(guān)。
  - **示例**: 在太陽能逆變器或工業(yè)電源系統(tǒng)中，該器件可用于實現(xiàn)直流到交流的高效轉(zhuǎn)換。

2. **高壓電源模塊**:
  - **描述**: 該MOSFET適用于要求高耐壓的高壓電源模塊。
  - **示例**: 在X射線設(shè)備或高壓電源系統(tǒng)中，該器件可用于控制高壓電源的穩(wěn)定輸出。

3. **電力傳輸**:
  - **描述**: 2SK3880-VB適用于電力傳輸系統(tǒng)中的高壓開關(guān)。
  - **示例**: 在電力輸送線路中，該器件可用于控制電力傳輸?shù)姆€(wěn)定性和效率。

4. **醫(yī)療設(shè)備**:
  - **描述**: 由于其高耐壓能力，該MOSFET適用于醫(yī)療設(shè)備中的高壓電源模塊。
  - **示例**: 在醫(yī)用X射線機或核磁共振設(shè)備中，該器件可用于控制高壓電源的輸出，確保設(shè)備的穩(wěn)定運行。

通過以上示例，可以看出2SK3880-VB MOSFET適用于要求高耐壓的各種應(yīng)用領(lǐng)域，具有良好的性能和可靠性，是高壓功率轉(zhuǎn)換電路中的理想選擇。