### 2SK3989-01MR-VB MOSFET 產品簡介

2SK3989-01MR-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET，采用 TO220F 封裝，適用于高壓應用。采用了 Plannar 技術，具有較高的漏源電壓和適中的導通電阻，適用于需要高壓耐受和中等功率的功率管理應用。

### 2SK3989-01MR-VB MOSFET 詳細參數說明

- **封裝類型**: TO220F
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 1700mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 2A
- **技術**: Plannar

### 應用領域和模塊

1. **電源管理**: 2SK3989-01MR-VB 適用于各種高壓電源管理模塊，如電源開關、電源逆變器等，能夠提供穩(wěn)定的電壓輸出并降低功耗。

2. **工業(yè)電氣**: 這款 MOSFET 可以用于工業(yè)電氣設備中的高壓電源模塊和驅動器，確保設備的穩(wěn)定運行和高效能。

3. **電動汽車充電器**: 在電動汽車充電器中，2SK3989-01MR-VB 可以用于高壓充電控制模塊，確保充電過程的穩(wěn)定性和安全性。

4. **太陽能逆變器**: 由于其高漏源電壓能力，這款 MOSFET 也適用于太陽能逆變器等系統(tǒng)，確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。