--- 產品參數(shù) ---
- 型號 STF13N80K5
- 品牌 ST意法
- 封裝 TO-220F
- VDS 800V
- ID 12A
- Rds On 370 mOhms
- PD 35W
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產品詳情 ---
制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: Yes
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 800 V
Id-連續(xù)漏極電流: 12 A
Rds On-漏源導通電阻: 370 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 29 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 35 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標: STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 16 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 16 ns
系列: STF13N80K5
包裝數(shù): 1000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 42 ns
典型接通延遲時間: 16 ns
單位重量: 2 g
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