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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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2SK897-MR-VB一款Single-N溝道TO220F的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 2SK897-MR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220F封裝
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介

2SK897-MR-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單N溝道MOSFET。它設(shè)計(jì)用于高壓高功率應(yīng)用,具有650V 的漏源電壓(VDS)和 ±30V 的柵源電壓(VGS),適用于需要高電壓和高電流的開(kāi)關(guān)和放大電路。通過(guò)平面(Plannar)技術(shù),這款MOSFET具有較低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),在10V的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下為 1100mΩ,使其在高壓應(yīng)用中能保持較低的導(dǎo)通損耗。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類型**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 7A
- **技術(shù)**: 平面(Plannar)

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源開(kāi)關(guān)**:
  2SK897-MR-VB 可用于高壓電源開(kāi)關(guān),如開(kāi)關(guān)電源、逆變器等。其高漏源電壓和導(dǎo)通電流能力,使其成為高性能電源開(kāi)關(guān)的理想選擇。

2. **電動(dòng)汽車充電樁**:
  在電動(dòng)汽車充電樁中,這款MOSFET 可用于高壓直流充電樁的開(kāi)關(guān)控制。其高漏源電壓和低導(dǎo)通電阻有助于提高充電效率和穩(wěn)定性。

3. **工業(yè)高壓應(yīng)用**:
  2SK897-MR-VB 適用于工業(yè)高壓開(kāi)關(guān)電路,如高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)、高壓電源等。其穩(wěn)定可靠的性能有助于提高工業(yè)設(shè)備的效率和可靠性。

4. **照明系統(tǒng)**:
  在需要高電壓的LED照明系統(tǒng)中,這款MOSFET 可用于LED驅(qū)動(dòng)器的開(kāi)關(guān)控制。其高導(dǎo)通電流和低導(dǎo)通電阻有助于提高LED照明的效率和穩(wěn)定性。

綜上所述,2SK897-MR-VB 是一款高性能的N溝道MOSFET,適用于需要高電壓、高電流和高效率的各種高壓電子應(yīng)用。

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