--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220F
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、產(chǎn)品簡介
**產(chǎn)品型號**: 2SK949-MR-VB
**封裝類型**: TO220F
**產(chǎn)品概述**: 2SK949-MR-VB是一款單N溝道MOSFET,采用Plannar技術(shù),具有高壓能力和穩(wěn)定性。該器件適用于高壓應(yīng)用,如電源管理和功率放大。
### 二、詳細參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 7A
- **技術(shù)類型**: Plannar

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
**領(lǐng)域:**
1. **電源管理**: 2SK949-MR-VB可用于高壓電源管理應(yīng)用,如開關(guān)電源和逆變器。
2. **功率放大**: 在高壓功率放大電路中,該器件可提供穩(wěn)定的功率輸出。
**模塊:**
1. **開關(guān)電源**: 在高壓開關(guān)電源中,2SK949-MR-VB可作為功率開關(guān)元件,實現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換。
2. **逆變器**: 在逆變器中,提供穩(wěn)定和高功率輸出,適用于太陽能和風能轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
綜上所述,2SK949-MR-VB MOSFET具有高壓處理能力和穩(wěn)定性,適用于各種高壓電子系統(tǒng),提高系統(tǒng)的效率和可靠性。
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