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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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30N20G-VB TO263一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: 30N20G-VB TO263
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

30N20G-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用 TO-263 封裝。具有 200V 的漏源電壓(VDS)和 ±20V 的柵源電壓(VGS),閾值電壓為 3V。其導通電阻(RDS(ON))在柵源電壓為 10V 時為 48mΩ。漏極電流(ID)可達 40A,采用 Trench 技術制造,具有高性能和可靠性,非常適合各種高功率應用場景。

### 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)       | 數(shù)值                    | 單位       |
|------------|-------------------------|------------|
| 封裝類型   | TO-263                  | -          |
| 配置       | 單 N 溝道               | -          |
| 漏源電壓(VDS)| 200                   | V          |
| 柵源電壓(VGS)| ±20                  | V          |
| 閾值電壓(Vth) | 3                   | V          |
| 導通電阻(RDS(ON))@VGS=10V | 48          | mΩ         |
| 漏極電流(ID) | 40                   | A          |
| 技術       | Trench                  | -          |

### 應用領域及模塊舉例

1. **電源管理模塊**:
  30N20G-VB 在高壓電源管理模塊中應用廣泛,如開關電源和逆變器。其高耐壓特性和低導通電阻,使其能夠高效地轉換電源,減少功率損耗并提高效率。

2. **工業(yè)自動化設備**:
  在工業(yè)自動化設備中,30N20G-VB 可以用于電機驅動器和控制電路。其高電流處理能力和穩(wěn)定性,能夠確保設備在高功率操作中的可靠性。

3. **太陽能逆變器**:
  在太陽能逆變器中,30N20G-VB 作為關鍵的功率開關元件,能夠高效地處理太陽能電池板輸出的高壓電流,確保電能的高效轉換和穩(wěn)定輸出。

4. **汽車電子**:
  在汽車電子領域,30N20G-VB 可用于電動汽車的電機控制和電池管理系統(tǒng)中。其高耐壓和大電流特性,使其能夠應對電動汽車復雜的電力需求,提高系統(tǒng)的整體性能和可靠性。

通過以上應用示例,可以看出 30N20G-VB 具有廣泛的應用領域,適用于需要高性能和高可靠性的電子設備和模塊中。

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