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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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30NM60ND-VB TO247一款Single-N溝道TO247的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: 30NM60ND-VB TO247
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO247
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

30NM60ND-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用 TO-247 封裝。具有 650V 的漏源電壓(VDS)和 ±30V 的柵源電壓(VGS),閾值電壓為 3.5V。其導通電阻(RDS(ON))在柵源電壓為 10V 時為 75mΩ。漏極電流(ID)可達 47A,采用 SJ_Multi-EPI 技術(shù)制造,具有高性能和可靠性。

### 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)       | 數(shù)值                    | 單位       |
|------------|-------------------------|------------|
| 封裝類型   | TO-247                  | -          |
| 配置       | 單 N 溝道               | -          |
| 漏源電壓(VDS)| 650                   | V          |
| 柵源電壓(VGS)| ±30                  | V          |
| 閾值電壓(Vth) | 3.5                 | V          |
| 導通電阻(RDS(ON))@VGS=10V | 75          | mΩ         |
| 漏極電流(ID) | 47                   | A          |
| 技術(shù)       | SJ_Multi-EPI            | -          |

### 應用領(lǐng)域及模塊舉例

1. **電力電子**:
  30NM60ND-VB 可以用于高壓直流輸電系統(tǒng)、變頻器和電力因素校正裝置等電力電子設備中。其高耐壓和大電流特性,以及低導通電阻,能夠提高設備的效率和可靠性。

2. **工業(yè)控制**:
  在工業(yè)控制領(lǐng)域,30NM60ND-VB 可以應用于各種工業(yè)設備的電源管理和控制電路中。其高性能和可靠性使其適用于各種工業(yè)環(huán)境下的應用。

3. **電動汽車充電樁**:
  在電動汽車充電樁中,30NM60ND-VB 可以用于直流快充和交流充電樁的功率開關(guān)電路中。其高耐壓和大電流特性,能夠快速、高效地充電電動汽車。

4. **太陽能逆變器**:
  在太陽能逆變器中,30NM60ND-VB 作為關(guān)鍵的功率開關(guān)元件,能夠高效地處理太陽能電池板輸出的高壓電流,確保電能的高效轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定輸出。

通過以上應用示例,可以看出 30NM60ND-VB 具有廣泛的應用領(lǐng)域,適用于需要高性能和可靠性的電子設備和模塊中。

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