### 產品簡介

35CN10N-VB 是一款由 VBsemi 生產的單通道 N 型 MOSFET，采用 TO262 封裝。該器件具有高漏源電壓和低導通電阻，適用于高功率開關和電源管理應用。

### 詳細參數說明

- **型號**: 35CN10N-VB
- **封裝**: TO262
- **配置**: 單 N 型通道
- **漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導通電阻 (RDS(on))**:
 - 10mΩ @ VGS=4.5V
 - 9mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術**: 溝槽技術

### 應用領域及模塊示例

1. **電源管理模塊**：35CN10N-VB 非常適用于高功率電源管理模塊，如服務器電源、數據中心電源和大功率 UPS 系統(tǒng)。其高漏源電壓和低導通電阻確保了高效的能源轉換和管理。

2. **電動汽車**：在電動汽車的電池管理系統(tǒng)和電動驅動器中，該 MOSFET 能夠提供高效的電源開關解決方案。其高電流承載能力和低導通電阻特性有助于提高車輛的整體性能和續(xù)航能力。

3. **工業(yè)控制**：在工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)中，35CN10N-VB 可用于高功率電機驅動器和工業(yè)電源開關。其高性能和可靠性使其適合于需要高電流和高效率的工業(yè)應用。

4. **太陽能逆變器**：該 MOSFET 可用于太陽能逆變器模塊中，幫助將太陽能轉換為可用電力。其高效能量轉換能力和高電流處理能力，使其成為太陽能發(fā)電系統(tǒng)中的重要組件。

5. **電焊設備**：在高功率電焊設備中，35CN10N-VB 可以用作功率開關模塊。其高漏源電壓和大電流能力確保了設備的穩(wěn)定性和高效性。