### 產品簡介

**型號：35N60C3-VB**

35N60C3-VB 是一款高性能單N溝道功率MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技術制造。該器件封裝在TO-247封裝中，具有650V的漏源電壓和47A的漏極電流，適用于要求高性能和高電壓的電源管理和開關控制應用。

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO-247
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 75mΩ@VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 47A
- **技術類型**: SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊示例

**電源管理模塊**: 35N60C3-VB 適用于高電壓的高性能電源管理模塊，如工業(yè)電源和電力系統(tǒng)中的DC-DC轉換器和開關電源。

**電機驅動器**: 在需要控制電機的應用中，35N60C3-VB 可以用作電機驅動器中的開關元件。其高電流承載能力和低導通電阻使其適用于工業(yè)自動化設備和電動車中的電機控制。

**電力逆變器**: 由于其高電壓和高性能特性，35N60C3-VB 可以用作電力逆變器中的開關元件，將直流電源轉換為交流電源，用于電網連接的可再生能源系統(tǒng)。

**光伏逆變器**: 在太陽能光伏系統(tǒng)中，35N60C3-VB 可以用作光伏逆變器中的開關元件，將光伏電池板產生的直流電轉換為交流電，以供電網使用。

以上是一些35N60C3-VB 在不同領域和模塊中的應用示例，顯示了其高性能、高電壓和可靠性的特點。