--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23-3
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
3LN01C-D-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用 SOT23-3 封裝。具有 60V 的漏源電壓(VDS)和 ±20V 的柵源電壓(VGS),閾值電壓為 1.7V。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在柵源電壓為 4.5V 時(shí)為 3100mΩ,在柵源電壓為 10V 時(shí)為 2800mΩ。漏極電流(ID)為 0.3A,采用 Trench 技術(shù)制造,具有高性能和可靠性。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
| 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
|------------|--------------------------|------------|
| 封裝類(lèi)型 | SOT23-3 | - |
| 配置 | 單 N 溝道 | - |
| 漏源電壓(VDS)| 60 | V |
| 柵源電壓(VGS)| ±20 | V |
| 閾值電壓(Vth) | 1.7 | V |
| 導(dǎo)通電阻(RDS(ON))@VGS=4.5V | 3100 | mΩ |
| 導(dǎo)通電阻(RDS(ON))@VGS=10V | 2800 | mΩ |
| 漏極電流(ID) | 0.3 | A |
| 技術(shù) | Trench | - |

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例
1. **移動(dòng)設(shè)備**:
由于 3LN01C-D-VB 具有較低的漏源電壓和適度的電流處理能力,因此適用于移動(dòng)設(shè)備中的電源管理模塊,如充電管理和電池保護(hù)電路等。
2. **便攜式消費(fèi)電子產(chǎn)品**:
在便攜式消費(fèi)電子產(chǎn)品中,3LN01C-D-VB 可以用于控制電池充放電和供電管理,例如智能手機(jī)、平板電腦和便攜式音頻設(shè)備等。
3. **醫(yī)療設(shè)備**:
在醫(yī)療設(shè)備中,3LN01C-D-VB 可以用于電源管理和電流控制,如便攜式醫(yī)療設(shè)備、監(jiān)護(hù)設(shè)備和診斷設(shè)備等。
4. **工業(yè)控制模塊**:
在工業(yè)控制模塊中,3LN01C-D-VB 可以用于電源開(kāi)關(guān)和控制電路,如工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備、機(jī)器人和傳感器等。
通過(guò)以上應(yīng)用示例,可以看出 3LN01C-D-VB 具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,適用于需要低功率和可靠性的電子設(shè)備和模塊中。
為你推薦
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明2025-01-15 17:26
產(chǎn)品型號(hào):BUK661R9-40C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明2025-01-15 17:23
產(chǎn)品型號(hào):BUK661R8-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明2025-01-15 17:20
產(chǎn)品型號(hào):BUK661R6-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明2025-01-15 17:16
產(chǎn)品型號(hào):BUK6610-75C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明2025-01-15 17:14
產(chǎn)品型號(hào):BUK6607-55C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK654R8-40C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明2025-01-15 16:56
產(chǎn)品型號(hào):BUK654R8-40C-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK654R6-55C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明2025-01-15 16:51
產(chǎn)品型號(hào):BUK654R6-55C-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK654R0-75C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明2025-01-15 16:50
產(chǎn)品型號(hào):BUK654R0-75C-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK653R7-30C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明2025-01-15 16:47
產(chǎn)品型號(hào):BUK653R7-30C-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK653R5-55C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明2025-01-15 16:35
產(chǎn)品型號(hào):BUK653R5-55C-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N