### 產(chǎn)品簡介

**型號：3N0403-VB**

3N0403-VB 是一款高性能單N溝道功率MOSFET，采用Trench技術(shù)制造。該器件封裝在TO-263封裝中，具有40V的漏源電壓和150A的漏極電流，適用于要求高性能和高電流的電源管理和開關(guān)控制應(yīng)用。

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO-263
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 40V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 2.5mΩ@VGS=4.5V
 - 2mΩ@VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 150A
- **技術(shù)類型**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

**電源管理模塊**: 3N0403-VB 適用于要求高電流和高性能的電源管理模塊，如服務(wù)器電源和電動車電池管理系統(tǒng)。

**電機驅(qū)動器**: 在需要高電流輸出的電機驅(qū)動器中，3N0403-VB 可以用作電機控制器中的開關(guān)元件，提供穩(wěn)定的電流輸出。

**電動汽車充電器**: 在電動汽車充電器中，3N0403-VB 可以用作充電器的開關(guān)元件，控制充電器的輸出電壓和電流，實現(xiàn)快速充電。

以上是一些3N0403-VB 在不同領(lǐng)域和模塊中的應(yīng)用示例，顯示了其高電流、高性能和可靠性的特點。