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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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3N10L34-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 3N10L34-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**型號:** 3N10L34-VB  
**封裝:** TO252  
**配置:** 單一N溝道MOSFET  
**主要參數(shù):**
- 漏源電壓 (VDS):100V
- 柵源電壓 (VGS):±20V
- 閾值電壓 (Vth):1.8V
- 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):35mΩ @ VGS=4.5V,30mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流 (ID):40A
- 技術(shù):Trench(溝槽型)

### 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)名稱            | 參數(shù)值               |
|-----------------|--------------------|
| 漏源電壓 (VDS)       | 100V               |
| 柵源電壓 (VGS)       | ±20V               |
| 閾值電壓 (Vth)       | 1.8V               |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))   | 35mΩ @ VGS=4.5V    |
|                   | 30mΩ @ VGS=10V     |
| 漏極電流 (ID)        | 40A                |
| 功率耗散 (Ptot)      | 60W                |
| 輸入電容 (Ciss)      | 4800pF             |
| 輸出電容 (Coss)      | 760pF              |
| 反向傳輸電容 (Crss)  | 230pF              |
| 開啟時間 (ton)       | 20ns               |
| 關(guān)斷時間 (toff)      | 45ns               |
| 工作溫度范圍 (Tj)     | -55°C ~ 175°C      |
| 封裝類型            | TO252              |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源管理**:3N10L34-VB適用于各種電源管理應(yīng)用,包括DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC電源、開關(guān)模式電源(SMPS)等。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其在高效率、高功率密度的電源設(shè)計中表現(xiàn)出色。

2. **電機控制**:在電機驅(qū)動和控制系統(tǒng)中,這款MOSFET可用于電動車、機器人、電動工具等的驅(qū)動電路。它能夠提供快速開關(guān)和高效的電流控制,確保電機運行的穩(wěn)定性和高效性。

3. **工業(yè)自動化**:該型號的MOSFET適用于工業(yè)自動化系統(tǒng)中的各類驅(qū)動模塊,如PLC、工業(yè)機器人控制單元和自動化設(shè)備的功率模塊。其高可靠性和耐高溫特性使其在工業(yè)環(huán)境中表現(xiàn)優(yōu)異。

4. **汽車電子**:3N10L34-VB在汽車電子中的應(yīng)用包括電動汽車的電池管理系統(tǒng)、車載充電器和各種輔助電源模塊。其高電流能力和耐高溫特性滿足了汽車應(yīng)用對可靠性和性能的嚴格要求。

5. **消費電子**:在消費電子領(lǐng)域,這款MOSFET適用于高性能電源適配器、筆記本電腦電源和高效充電器等設(shè)備,提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源管理。

通過這些應(yīng)用領(lǐng)域和模塊的具體例子,可以看出3N10L34-VB TO252 MOSFET因其優(yōu)秀的電氣性能和可靠性在多個行業(yè)中得到了廣泛應(yīng)用。

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