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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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3N65KG-TF3-T-VB一款Single-N溝道TO220F的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 3N65KG-TF3-T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220F封裝
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、3N65KG-TF3-T-VB 產(chǎn)品簡介

3N65KG-TF3-T-VB是一款單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝。該產(chǎn)品具有650V的漏源極電壓(VDS),30V的柵源極電壓(VGS),3.5V的閾值電壓(Vth),以及4A的漏極電流(ID)。3N65KG-TF3-T-VB采用平面技術(shù),提供可靠的性能和穩(wěn)定性。

### 二、3N65KG-TF3-T-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

| 參數(shù)               | 數(shù)值                     |
|--------------------|------------------------|
| 封裝               | TO220F                 |
| 配置               | 單N溝道                |
| 漏源極電壓 (VDS)   | 650V                   |
| 柵源極電壓 (VGS)   | ±30V                   |
| 閾值電壓 (Vth)     | 3.5V                   |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 2560mΩ @ VGS=10V       |
| 漏極電流 (ID)      | 4A                     |
| 技術(shù)               | 平面技術(shù) (Plannar)     |

### 三、3N65KG-TF3-T-VB 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源轉(zhuǎn)換器**:
  由于3N65KG-TF3-T-VB具有較高的漏源極電壓和較低的漏源極電阻,因此非常適用于電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計。這種MOSFET可以在DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC轉(zhuǎn)換器中提供高效率和可靠性。

2. **UPS系統(tǒng)**:
  在不間斷電源(UPS)系統(tǒng)中,需要可靠的開關(guān)器件來實現(xiàn)電池到交流電源的轉(zhuǎn)換。3N65KG-TF3-T-VB的高漏源極電壓和穩(wěn)定的性能使其成為UPS系統(tǒng)中的理想選擇。

3. **電動汽車充電樁**:
  電動汽車充電樁需要高性能的開關(guān)器件來實現(xiàn)電能的轉(zhuǎn)換和管理。3N65KG-TF3-T-VB可以幫助提高充電樁的效率和充電速度,同時保持系統(tǒng)穩(wěn)定性。

4. **太陽能逆變器**:
  在太陽能電池系統(tǒng)中,逆變器起著關(guān)鍵作用,將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。3N65KG-TF3-T-VB適用于太陽能逆變器的設(shè)計,有助于提高太陽能系統(tǒng)的能量轉(zhuǎn)換效率。

綜上所述,3N65KG-TF3-T-VB MOSFET在多個領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用前景,特別適用于需要高性能開關(guān)器件的應(yīng)用。其穩(wěn)定性和可靠性使其成為各種高性能電子設(shè)備的理想選擇。

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