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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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3N70L-TM3-T-VB一款Single-N溝道TO251的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 3N70L-TM3-T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO251
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、3N70L-TM3-T-VB TO251 產(chǎn)品簡介

3N70L-TM3-T-VB 是一款由 VBsemi 生產(chǎn)的高性能單 N 溝道 MOSFET,采用 TO251 封裝。其特點是具有較高的漏極電壓和較低的導(dǎo)通電阻,能夠在 700V 的漏源電壓下工作,并具有 ±30V 的柵源電壓耐受能力。該器件采用 SJ_Multi-EPI 技術(shù),適用于各種需要高電壓和低功率的應(yīng)用場景。

### 二、3N70L-TM3-T-VB TO251 詳細(xì)參數(shù)說明

| 參數(shù) | 說明 |
|------|------|
| 封裝類型 | TO251 |
| 配置 | 單 N 溝道 |
| 漏源電壓 (VDS) | 700V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±30V |
| 閾值電壓 (Vth) | 3.5V |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 2400mΩ@VGS=10V |
| 漏極電流 (ID) | 2A |
| 技術(shù) | SJ_Multi-EPI |

### 三、3N70L-TM3-T-VB 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源開關(guān)模塊**
  - **領(lǐng)域**:工業(yè)電子
  - **應(yīng)用**:在工業(yè)電子設(shè)備中,該 MOSFET 可用于設(shè)計高壓開關(guān)電源模塊,提供可靠的電源開關(guān)功能,適用于各種工業(yè)控制系統(tǒng)。

2. **太陽能逆變器**
  - **領(lǐng)域**:可再生能源
  - **應(yīng)用**:在太陽能逆變器中,3N70L-TM3-T-VB 可以用于設(shè)計高效的功率逆變電路,將太陽能板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電,為家庭和商業(yè)用途提供電能。

3. **高壓直流穩(wěn)壓器**
  - **領(lǐng)域**:科研實驗
  - **應(yīng)用**:在科研實驗室中,需要穩(wěn)定的高壓直流電源供應(yīng),該器件可以用于設(shè)計高壓直流穩(wěn)壓器,滿足實驗需求。

4. **電動汽車充電樁**
  - **領(lǐng)域**:電動汽車基礎(chǔ)設(shè)施
  - **應(yīng)用**:該器件可以用于電動汽車充電樁的設(shè)計中,幫助實現(xiàn)高效快速的充電,提升充電樁的性能和可靠性。

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