### 產(chǎn)品簡介

**型號：** 4002J-VB  
**封裝：** TO251  
**配置：** 單一N溝道MOSFET  
**主要參數(shù)：**
- 漏源電壓 (VDS)：650V
- 柵源電壓 (VGS)：±30V
- 閾值電壓 (Vth)：3.5V
- 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))：4300mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流 (ID)：2A
- 技術(shù)：Plannar（平面型）

### 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)名稱            | 參數(shù)值               |
|-----------------|--------------------|
| 漏源電壓 (VDS)       | 650V               |
| 柵源電壓 (VGS)       | ±30V               |
| 閾值電壓 (Vth)       | 3.5V               |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))   | 4300mΩ @ VGS=10V   |
| 漏極電流 (ID)        | 2A                 |
| 功率耗散 (Ptot)      | 75W                |
| 輸入電容 (Ciss)      | 320pF              |
| 輸出電容 (Coss)      | 50pF               |
| 反向傳輸電容 (Crss)  | 30pF               |
| 開啟時間 (ton)       | 40ns               |
| 關(guān)斷時間 (toff)      | 170ns              |
| 工作溫度范圍 (Tj)     | -55°C ~ 175°C      |
| 封裝類型            | TO251              |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **照明**：4002J-VB適用于LED照明驅(qū)動器、室內(nèi)和室外照明系統(tǒng)等模塊，其高漏源電壓和低導(dǎo)通電阻特性使其在照明領(lǐng)域中表現(xiàn)優(yōu)異。

2. **電源管理**：在電源管理領(lǐng)域，這款MOSFET可用于電源適配器、UPS系統(tǒng)和太陽能逆變器等模塊，提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源管理。

3. **醫(yī)療設(shè)備**：在醫(yī)療設(shè)備中，這款MOSFET可用于醫(yī)療圖像設(shè)備、醫(yī)療監(jiān)測設(shè)備和醫(yī)療診斷設(shè)備等，具有高可靠性和耐高壓特性。

4. **電動汽車充電樁**：在電動汽車充電樁中，這款MOSFET可以用于充電樁的電源管理和電池充電控制，確保充電樁的高效率和安全性。

5. **工業(yè)控制**：在工業(yè)控制系統(tǒng)中，這款MOSFET可用于工業(yè)電機控制器、變頻器和工業(yè)電源等模塊，提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源管理。

通過這些應(yīng)用領(lǐng)域和模塊的具體例子，可以看出4002J-VB TO251 MOSFET因其高耐壓、高可靠性和高效率的特性在多個領(lǐng)域中得到了廣泛應(yīng)用。