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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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4172WS-VB一款Single-N溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 4172WS-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**型號(hào):** 4172WS-VB  
**封裝:** SOP8  
**配置:** 單一N溝道MOSFET  
**主要參數(shù):**
- 漏源電壓 (VDS):30V
- 柵源電壓 (VGS):±20V
- 閾值電壓 (Vth):1.7V
- 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):11mΩ @ VGS=4.5V,8mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流 (ID):13A
- 技術(shù):Trench(溝槽型)

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

| 參數(shù)名稱            | 參數(shù)值               |
|-----------------|--------------------|
| 漏源電壓 (VDS)       | 30V                |
| 柵源電壓 (VGS)       | ±20V               |
| 閾值電壓 (Vth)       | 1.7V               |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))   | 11mΩ @ VGS=4.5V    |
|                   | 8mΩ @ VGS=10V      |
| 漏極電流 (ID)        | 13A                |
| 功率耗散 (Ptot)      | 26W                |
| 輸入電容 (Ciss)      | 1700pF             |
| 輸出電容 (Coss)      | 340pF              |
| 反向傳輸電容 (Crss)  | 80pF               |
| 開(kāi)啟時(shí)間 (ton)       | 7.5ns              |
| 關(guān)斷時(shí)間 (toff)      | 14ns               |
| 工作溫度范圍 (Tj)     | -55°C ~ 175°C      |
| 封裝類型            | SOP8               |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源管理**:4172WS-VB適用于各種電源管理應(yīng)用,如電源適配器、開(kāi)關(guān)電源和電池管理系統(tǒng)等。其低導(dǎo)通電阻和高漏極電流特性使其在高效率、高功率密度的電源設(shè)計(jì)中表現(xiàn)出色。

2. **車載電子**:在汽車電子領(lǐng)域,這款MOSFET可以應(yīng)用于車載電子設(shè)備、電動(dòng)汽車控制系統(tǒng)和充電樁等模塊,確保系統(tǒng)的高效運(yùn)行和安全性。

3. **工業(yè)控制**:在工業(yè)控制系統(tǒng)中,這款MOSFET可用于工業(yè)電機(jī)控制器、變頻器和工業(yè)電源等模塊,提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源管理。

4. **消費(fèi)電子**:適用于消費(fèi)電子產(chǎn)品,如平板電腦、智能手機(jī)和家用電器等的電源管理模塊,提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源輸出。

5. **通信設(shè)備**:在通信設(shè)備中,這款MOSFET可以應(yīng)用于功率放大器、射頻開(kāi)關(guān)和功率控制模塊等,確保設(shè)備的穩(wěn)定性和高效性。

通過(guò)這些應(yīng)用領(lǐng)域和模塊的具體例子,可以看出4172WS-VB SOP8 MOSFET因其高功率、高效率的特性在多個(gè)領(lǐng)域中得到了廣泛應(yīng)用。

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