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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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42DN20N-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 42DN20N-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(3X3)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、42DN20N-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

42DN20N-VB是一款單N溝道MOSFET,采用DFN8(3X3)封裝。該產(chǎn)品具有250V的漏源極電壓(VDS),20V的柵源極電壓(VGS),3.5V的閾值電壓(Vth),以及10.3A的漏極電流(ID)。42DN20N-VB采用溝槽技術(shù),提供高性能和可靠性,適用于多種高壓應(yīng)用場(chǎng)合。

### 二、42DN20N-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

| 參數(shù)               | 數(shù)值                       |
|--------------------|--------------------------|
| 封裝               | DFN8(3X3)                |
| 配置               | 單N溝道                  |
| 漏源極電壓 (VDS)   | 250V                     |
| 柵源極電壓 (VGS)   | ±20V                     |
| 閾值電壓 (Vth)     | 3.5V                     |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 125mΩ @ VGS=10V         |
| 漏極電流 (ID)      | 10.3A                    |
| 技術(shù)               | 溝槽技術(shù) (Trench)        |

### 三、42DN20N-VB 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理模塊**:
  42DN20N-VB由于其高漏源極電壓(250V)和較低的導(dǎo)通電阻(125mΩ),適用于高效能耗和高可靠性的電源管理模塊,如服務(wù)器電源和工業(yè)電源。

2. **光伏逆變器**:
  在光伏逆變器中,42DN20N-VB可用于高壓開(kāi)關(guān)和控制,提供高效的能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的性能。

3. **電動(dòng)汽車充電站**:
  42DN20N-VB可用于電動(dòng)汽車充電站的高壓開(kāi)關(guān)和電源管理模塊,幫助實(shí)現(xiàn)快速充電和高效能耗。

4. **工業(yè)自動(dòng)化**:
  42DN20N-VB適用于工業(yè)自動(dòng)化中的高壓控制和開(kāi)關(guān)模塊,提供高性能和可靠性,滿足復(fù)雜工業(yè)環(huán)境的需求。

5. **高壓照明系統(tǒng)**:
  42DN20N-VB可用于高壓LED驅(qū)動(dòng)器和其他高壓照明系統(tǒng),提供高效能量管理和長(zhǎng)壽命。

綜上所述,42DN20N-VB MOSFET具有廣泛的應(yīng)用前景,尤其在高壓應(yīng)用領(lǐng)域中具有重要作用,能夠滿足多種高性能開(kāi)關(guān)器件的需求。

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