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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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43NM60N-VB一款Single-N溝道TO247的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 43NM60N-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO247
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**型號:** 43NM60N-VB  
**封裝:** TO247  
**配置:** 單N溝道MOSFET  
**主要參數(shù):**
- 漏源電壓 (VDS):650V
- 柵源電壓 (VGS):±30V
- 閾值電壓 (Vth):3.5V
- 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):75mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流 (ID):47A
- 技術(shù):SJ_Multi-EPI(多重外延結(jié)構(gòu))

### 詳細(xì)參數(shù)說明

| 參數(shù)名稱            | 參數(shù)值               |
|-----------------|--------------------|
| 漏源電壓 (VDS)       | 650V               |
| 柵源電壓 (VGS)       | ±30V               |
| 閾值電壓 (Vth)       | 3.5V               |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))   | 75mΩ @ VGS=10V     |
| 漏極電流 (ID)        | 47A                |
| 功率耗散 (Ptot)      | 320W               |
| 輸入電容 (Ciss)      | 5400pF             |
| 輸出電容 (Coss)      | 720pF              |
| 反向傳輸電容 (Crss)  | 190pF              |
| 開啟時間 (ton)       | 37ns               |
| 關(guān)斷時間 (toff)      | 111ns              |
| 工作溫度范圍 (Tj)     | -55°C ~ 175°C      |
| 封裝類型            | TO247              |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **工業(yè)電源**:43NM60N-VB適用于工業(yè)電源系統(tǒng),如UPS、電焊機(jī)和工業(yè)電動車輛等,確保系統(tǒng)的高效率和可靠性。

2. **電動汽車**:在電動汽車的電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中,這款MOSFET可以用于電動汽車控制器、充電樁和電池管理系統(tǒng)等模塊,提供高效的電能轉(zhuǎn)換和安全性。

3. **電源開關(guān)**:在高壓電源開關(guān)模塊中,這款MOSFET可用于高效率的開關(guān)電源和逆變器,提供穩(wěn)定的電源輸出。

4. **醫(yī)療設(shè)備**:適用于醫(yī)療設(shè)備,如X射線機(jī)、醫(yī)用電源和激光設(shè)備等的電源管理模塊,提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源輸出。

5. **通信設(shè)備**:在通信設(shè)備中,這款MOSFET可以應(yīng)用于功率放大器、射頻開關(guān)和功率控制模塊等,確保設(shè)備的穩(wěn)定性和高效性。

通過這些應(yīng)用領(lǐng)域和模塊的具體例子,可以看出43NM60N-VB TO247 MOSFET因其高功率、高效率的特性在多個領(lǐng)域中得到了廣泛應(yīng)用。

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