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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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44MIS8207-VB一款Dual-N+N溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 44MIS8207-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-6
  • 溝道 Dual-N+N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 44MIS8207-VB SOT23-6 MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

44MIS8207-VB 是一款雙通道 N+N 溝道場(chǎng)效應(yīng)管,采用 SOT23-6 封裝,適用于各種電子應(yīng)用中的高效能管理。具有高可靠性和優(yōu)異的熱性能,適用于各種嚴(yán)苛環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。44MIS8207-VB 的漏極-源極電壓(VDS)為 20V,柵極-源極電壓(VGS)為 ±20V,具有良好的性能和可靠性。其柵極閾值電壓(Vth)范圍為 0.5~1.5V,適用于低電壓電路。44MIS8207-VB 采用 Trench 技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻,提高能效并減少熱量產(chǎn)生。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝**:SOT23-6
- **配置**:雙通道 N+N 溝道
- **VDS(漏極-源極電壓)**:20V
- **VGS(柵極-源極電壓)**:±20V
- **Vth(柵極閾值電壓)**:0.5~1.5V
- **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻)**:28mΩ @ VGS = 2.5V,24mΩ @ VGS = 4.5V
- **ID(持續(xù)漏極電流)**:6A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用示例

1. **電源管理**: 44MIS8207-VB 可廣泛應(yīng)用于各種電源管理電路中,如開關(guān)電源、穩(wěn)壓器等,提高電路效率并減小設(shè)備尺寸。

2. **電池保護(hù)**: 在移動(dòng)設(shè)備和電動(dòng)工具中,可用于電池保護(hù)電路,確保電池的安全和穩(wěn)定性,延長(zhǎng)電池使用壽命。

3. **USB 控制**: 由于其雙通道設(shè)計(jì)和低導(dǎo)通電阻,適用于 USB 控制器和充電管理電路,實(shí)現(xiàn)高效的電源管理和充電控制。

4. **電機(jī)控制**: 在工業(yè)控制系統(tǒng)中,可用于各種類型的電機(jī)控制,如無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)的控制,提高工業(yè)設(shè)備的效率和可靠性。

5. **LED 驅(qū)動(dòng)**: 由于其高電流和低導(dǎo)通電阻特性,適用于 LED 燈驅(qū)動(dòng)電路,實(shí)現(xiàn)高效的 LED 燈控制,減少能量損耗和熱量產(chǎn)生。

通過在這些領(lǐng)域中使用 44MIS8207-VB MOSFET,設(shè)計(jì)者可以實(shí)現(xiàn)高效、可靠的電路設(shè)計(jì),滿足不同應(yīng)用的需求,提升產(chǎn)品的整體性能和可靠性。

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