### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**型號(hào)：** 4501GD-VB  
**封裝：** DIP8  
**配置：** 雙N+P溝道MOSFET  
**主要參數(shù)：**
- 漏源電壓 (VDS)：±30V
- 柵源電壓 (VGS)：±20V
- 閾值電壓 (Vth)：±1V
- 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))：30mΩ @ VGS=4.5V，25mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流 (ID)：7.2A（N溝道），-5A（P溝道）
- 技術(shù)：Trench（溝槽型）

### 詳細(xì)參數(shù)說明

| 參數(shù)名稱            | 參數(shù)值               |
|-----------------|--------------------|
| 漏源電壓 (VDS)       | ±30V               |
| 柵源電壓 (VGS)       | ±20V               |
| 閾值電壓 (Vth)       | ±1V                |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))   | 30mΩ @ VGS=4.5V    |
|                   | 25mΩ @ VGS=10V     |
| 漏極電流 (ID)        | 7.2A (N溝道)       |
|                   | -5A (P溝道)        |
| 功率耗散 (Ptot)      | 2W                 |
| 輸入電容 (Ciss)      | 5500pF             |
| 輸出電容 (Coss)      | 1200pF             |
| 反向傳輸電容 (Crss)  | 900pF              |
| 開啟時(shí)間 (ton)       | 15ns               |
| 關(guān)斷時(shí)間 (toff)      | 50ns               |
| 工作溫度范圍 (Tj)     | -55°C ~ 150°C      |
| 封裝類型            | DIP8               |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源管理**：4501GD-VB適用于低壓電源管理系統(tǒng)，如便攜式電子設(shè)備、充電器和電池保護(hù)模塊等，提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源輸出。

2. **驅(qū)動(dòng)器**：在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中，這款MOSFET可用于電機(jī)控制和功率開關(guān)模塊，提供高效的功率轉(zhuǎn)換和精確的電機(jī)控制。

3. **逆變器**：在逆變器和變頻器中，這款MOSFET可以用于功率開關(guān)和電源調(diào)節(jié)器等模塊，確保系統(tǒng)的高效率和可靠性。

4. **汽車電子**：在汽車電子領(lǐng)域，這款MOSFET可用于汽車電源管理系統(tǒng)、照明控制和電動(dòng)車輛的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)等，提供高效的功率轉(zhuǎn)換和安全性。

5. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**：適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器的電源管理模塊，確保系統(tǒng)的高效率和可靠性。

通過這些應(yīng)用領(lǐng)域和模塊的具體例子，可以看出4501GD-VB DIP8 MOSFET因其雙通道設(shè)計(jì)和高功率的特性在多個(gè)領(lǐng)域中得到了廣泛應(yīng)用。