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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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4501GM-VB一款Dual-N+P溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 4501GM-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8
  • 溝道 Dual-N+P

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

4501GM-VB 是一款由VBsemi公司生產(chǎn)的雙N+P溝道MOSFET,采用SOP8封裝。該器件具有±30V的漏源電壓(VDS)、±20V的柵源電壓(VGS)、1.6V(N溝道)和-1.7V(P溝道)的柵極閾值電壓(Vth)、24mΩ(N溝道)和50mΩ(P溝道)的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))(在VGS=4.5V時(shí))、18mΩ(N溝道)和40mΩ(P溝道)的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))(在VGS=10V時(shí))、±8A的漏極電流(ID),采用Trench技術(shù)。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**:4501GM-VB
- **封裝類(lèi)型**:SOP8
- **配置**:雙N+P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:±30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:1.6V(N溝道)和-1.7V(P溝道)
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - N溝道:24mΩ @ VGS=4.5V,18mΩ @ VGS=10V
 - P溝道:50mΩ @ VGS=4.5V,40mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:±8A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

4501GM-VB 適用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **電源管理**:
  由于其雙N+P溝道設(shè)計(jì),4501GM-VB 可以用作電源管理中的開(kāi)關(guān)器件,實(shí)現(xiàn)電源的雙極性控制和管理。

2. **功率逆變器**:
  在需要實(shí)現(xiàn)雙極性功率逆變的應(yīng)用中,4501GM-VB 可以用作功率逆變器的關(guān)鍵器件,實(shí)現(xiàn)高效、可靠的功率轉(zhuǎn)換。

3. **電動(dòng)工具**:
  由于其高漏極電流和低導(dǎo)通電阻,4501GM-VB 可以用作電動(dòng)工具中的驅(qū)動(dòng)器件,如電動(dòng)扳手、電動(dòng)剪刀等。

4. **電動(dòng)車(chē)充電器**:
  在需要實(shí)現(xiàn)電動(dòng)車(chē)雙極性電池充電的應(yīng)用中,4501GM-VB 可以用作充電器的關(guān)鍵器件,實(shí)現(xiàn)高效、可靠的充電控制。

綜上所述,4501GM-VB 在需要雙極性控制和高效功率管理的應(yīng)用中具有廣泛的應(yīng)用前景,能夠提供可靠、高效的功率控制和管理功能。

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