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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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4525GEH-VB一款Common Drain-N+P溝道TO252-4L的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 4525GEH-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252-4L
  • 溝道 Common Drain-N+P

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、4525GEH-VB 產(chǎn)品簡介

4525GEH-VB是一款高性能的共源N+P通道MOSFET,采用TO252-4L封裝。它集成了一個(gè)N溝道和一個(gè)P溝道的MOSFET,旨在提供高效的功率開關(guān)和低導(dǎo)通電阻特性。采用先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù)制造,4525GEH-VB適用于要求高電流處理能力和穩(wěn)定性的應(yīng)用環(huán)境。

### 二、4525GEH-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252-4L
- **配置**: 共源N+P通道
- **漏源極電壓 (VDS)**: ±40V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: N溝道:1.8V, P溝道:-1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - @VGS=4.5V: N溝道:14mΩ, P溝道:14mΩ
 - @VGS=10V: N溝道:16mΩ, P溝道:16mΩ
- **漏極電流 (ID)**: ±50A
- **技術(shù)**: 溝槽(Trench)

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電動車輛**:
  - 4525GEH-VB的高電流處理能力使其非常適合用于電動汽車和混合動力車輛中的電機(jī)驅(qū)動器件。它可以支持高效的能量轉(zhuǎn)換和電機(jī)控制,提升車輛的性能和續(xù)航能力。

2. **電源模塊**:
  - 在需要高功率密度和可靠性的電源模塊中,這款MOSFET可用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源。其低導(dǎo)通電阻和高電流容量有助于減少能量損耗,并提高系統(tǒng)效率。

3. **工業(yè)自動化**:
  - 在工業(yè)控制和自動化系統(tǒng)中,4525GEH-VB可以作為開關(guān)和功率放大器,用于控制大電流負(fù)載和驅(qū)動電機(jī)。它的穩(wěn)定性和可靠性確保了長時(shí)間的穩(wěn)定運(yùn)行。

4. **電池管理系統(tǒng)**:
  - 在動力電池管理系統(tǒng)中,這款MOSFET可以用于電池充放電控制和保護(hù)電路,有效地管理電池組的功率輸出和電流流動,確保系統(tǒng)安全和長壽命。

4525GEH-VB因其高電流處理能力和穩(wěn)定的電氣特性,在多種領(lǐng)域中都能提供可靠的解決方案,支持復(fù)雜電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和實(shí)施。

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