### 產(chǎn)品簡介

4916N-VB是一款單通道N溝道MOSFET，采用先進的Trench技術，封裝形式為SOP8。它具有低導通電阻、高漏源極電流承載能力和穩(wěn)定的性能特性，適用于需要高效能量轉換和電源管理的應用場合。

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝**: SOP8
- **配置**: 單通道N溝道
- **漏源極電壓（VDS）**: 30V
- **柵源極電壓（VGS）**: 20V（±V）
- **柵極閾值電壓（Vth）**: 1.7V
- **導通電阻（RDS(ON)）**:
 - 11mΩ @ VGS = 4.5V
 - 8mΩ @ VGS = 10V
- **漏源極電流（ID）**: 13A
- **技術**: Trench

### 應用領域和模塊

4916N-VB適用于多種需要高電流和低導通電阻的電子應用，以下是具體的應用示例：

1. **電源管理**: 在高效DC-DC轉換器、功率放大器和電源開關單元中，4916N-VB可用作功率開關元件，提供高效的電能轉換和電源管理功能。

2. **電動工具**: 在電動工具和電動車輛的電機驅動系統(tǒng)中，4916N-VB可以用于電動馬達的高功率驅動和速度控制，支持高效能量轉換和長時間運行。

3. **消費電子**: 在筆記本電腦、平板電腦和智能手機等消費電子產(chǎn)品中，該MOSFET可用于電源管理、電池充放電控制和低功耗待機模式的實現(xiàn)。

4. **工業(yè)控制**: 在工業(yè)自動化和機器人控制系統(tǒng)中，4916N-VB可以用于電機驅動、電源開關和工業(yè)設備的電力管理，提高系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。

通過以上示例，可以看出4916N-VB在多個領域中的廣泛應用，為各種電子設備和系統(tǒng)提供了可靠的功率管理和控制解決方案。