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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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4N60L-TA3-T-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 4N60L-TA3-T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 4N60L-TA3-T-VB TO220 MOSFET 產(chǎn)品簡介

4N60L-TA3-T-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用TO220封裝。該器件具備高達650V的漏極電壓(VDS)和±30V的柵極電壓(VGS)額定值,閾值電壓(Vth)為3.5V。采用Plannar技術(shù),具有較高的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),在VGS為10V時為2200毫歐,能夠提供最大4A的漏極電流(ID)。該器件設(shè)計用于高壓應(yīng)用,并具備較高的可靠性和穩(wěn)定性。

### 4N60L-TA3-T-VB TO220 MOSFET 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)      | 值                             |
|-----------|--------------------------------|
| 封裝      | TO220                          |
| 配置      | 單N溝道                        |
| 漏極電壓 (VDS) | 650V                          |
| 柵極電壓 (VGS) | ±30V                          |
| 閾值電壓 (Vth) | 3.5V                           |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) @ VGS=10V | 2200mΩ                        |
| 漏極電流 (ID) | 4A                             |
| 技術(shù)      | Plannar                        |

### 4N60L-TA3-T-VB TO220 MOSFET 的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

#### 應(yīng)用領(lǐng)域
1. **電源逆變器**:適用于高壓直流-交流轉(zhuǎn)換器和太陽能逆變器,能夠處理高電壓和大功率轉(zhuǎn)換需求。
2. **電動車充電樁**:用于電動車充電樁中的功率開關(guān)和控制模塊,提供高效能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電流輸出。
3. **工業(yè)電源**:在工業(yè)自動化設(shè)備和機械中,用于高壓電源管理和功率控制系統(tǒng),確保穩(wěn)定和可靠的電力供應(yīng)。
4. **電源管理系統(tǒng)**:用于穩(wěn)壓器和開關(guān)模式電源中,提供高效的電能轉(zhuǎn)換和電壓調(diào)節(jié)。

#### 模塊舉例
1. **太陽能逆變器**:在太陽能發(fā)電系統(tǒng)的逆變器模塊中,4N60L-TA3-T-VB 可以確保高效的能量轉(zhuǎn)換和最大化能量輸出。
2. **高壓直流-直流轉(zhuǎn)換器**:適用于通信基站和工業(yè)設(shè)備中的高壓直流-直流轉(zhuǎn)換模塊,提供可靠的電力轉(zhuǎn)換和管理。
3. **功率開關(guān)模塊**:在各種功率開關(guān)系統(tǒng)中,提供穩(wěn)定的開關(guān)和高效的能量轉(zhuǎn)換,適用于電力電子設(shè)備和電力傳輸系統(tǒng)。
4. **電動汽車充電設(shè)備**:4N60L-TA3-T-VB 可用于電動車充電設(shè)備的功率開關(guān)和控制模塊,實現(xiàn)高效的電池充電和管理。

通過其高電壓額定值和穩(wěn)定的性能,4N60L-TA3-T-VB TO220 MOSFET 是適用于多種高壓和功率應(yīng)用的理想選擇,能夠滿足復(fù)雜電力電子系統(tǒng)的需求,提供可靠的電力管理和控制。

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