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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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4P0409-VB TO263一款Single-P溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 4P0409-VB TO263
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-P

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 4P0409-VB TO263 MOSFET 產(chǎn)品簡介

4P0409-VB 是一款單P溝道MOSFET,采用TO263封裝。該器件具備-40V的漏極電壓(VDS)和±20V的柵極電壓(VGS)額定值,閾值電壓(Vth)為-2.5V。采用Trench技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),在VGS為4.5V時為8.28毫歐,在VGS為10V時為4.1毫歐,能夠提供最大-110A的漏極電流(ID)。適用于高功率負(fù)載開關(guān)和電流控制應(yīng)用,具有優(yōu)異的導(dǎo)通特性和熱穩(wěn)定性。

### 4P0409-VB TO263 MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說明

| 參數(shù)      | 值                             |
|-----------|--------------------------------|
| 封裝      | TO263                          |
| 配置      | 單P溝道                        |
| 漏極電壓 (VDS) | -40V                          |
| 柵極電壓 (VGS) | ±20V                          |
| 閾值電壓 (Vth) | -2.5V                          |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) @ VGS=4.5V | 8.28mΩ                         |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) @ VGS=10V  | 4.1mΩ                          |
| 漏極電流 (ID) | -110A                          |
| 技術(shù)      | Trench                         |

### 4P0409-VB TO263 MOSFET 的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

#### 應(yīng)用領(lǐng)域
1. **電動車輛**:用于電動汽車的電池管理系統(tǒng)和馬達(dá)控制單元中的功率開關(guān),確保高效能量轉(zhuǎn)換和電池保護(hù)。
2. **工業(yè)電子**:在工業(yè)控制設(shè)備中的電源管理和電流控制模塊,如PLC控制單元和電機(jī)驅(qū)動器。
3. **電源轉(zhuǎn)換器**:用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源逆變器中的高功率開關(guān)模塊,提供穩(wěn)定的電源輸出和高效的能量轉(zhuǎn)換。
4. **通信設(shè)備**:在通信基站和數(shù)據(jù)中心設(shè)備中的電源分配單元,確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和電能轉(zhuǎn)換效率。

#### 模塊舉例
1. **電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)**:4P0409-VB 可用于電動汽車的電池管理系統(tǒng)和馬達(dá)控制單元,實(shí)現(xiàn)高效的電池充放電控制和能量管理。
2. **工業(yè)自動化設(shè)備**:在工業(yè)自動化控制系統(tǒng)中的功率開關(guān)模塊,提供可靠的電力管理和高效的電流控制。
3. **電源分配單元**:用于數(shù)據(jù)中心和通信基站等設(shè)備中的電源管理模塊,確保設(shè)備長時間的穩(wěn)定運(yùn)行和節(jié)能效果。

由于其負(fù)電壓漏極電壓額定值和高電流承受能力,4P0409-VB TO263 MOSFET 是適用于多種高功率負(fù)載開關(guān)和電流控制應(yīng)用的理想選擇,能夠提供穩(wěn)定的電力管理和高效的能量轉(zhuǎn)換。

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