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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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4STS8816-VB一款Dual-N+N溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 4STS8816-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-6
  • 溝道 Dual-N+N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 4STS8816-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

4STS8816-VB 是一款雙 N+N-溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),采用 SOT23-6 封裝。它具有低漏極-源極電壓(20V)和中等電流處理能力,適合于小功率應(yīng)用場(chǎng)合。

### 4STS8816-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝形式**: SOT23-6
- **配置**: 雙 N+N-溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 20V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 28mΩ @ VGS = 2.5V
 - 24mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏極電流 (ID)**: 6A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

#### 電源管理與轉(zhuǎn)換
由于其低漏極-源極電壓和中等電流處理能力,4STS8816-VB 可以用于小功率電源管理和轉(zhuǎn)換電路中,如移動(dòng)設(shè)備的電源管理、DC-DC 變換器和充電電路中的開(kāi)關(guān)控制。

#### 電池保護(hù)和充放電管理
在需要保護(hù)和管理電池的電路中,4STS8816-VB 可以作為充放電開(kāi)關(guān)元件。它能夠有效控制電池的充放電過(guò)程,保護(hù)電池免受過(guò)電流和過(guò)壓的損害。

#### 小型電子設(shè)備和傳感器控制
在小型電子設(shè)備和傳感器控制電路中,需要高效的電路開(kāi)關(guān)和控制元件。4STS8816-VB 的小封裝和適中的性能特點(diǎn)使其成為這些應(yīng)用的理想選擇,如便攜式設(shè)備、傳感器接口電路等。

#### 模擬信號(hào)開(kāi)關(guān)和調(diào)節(jié)
在需要對(duì)模擬信號(hào)進(jìn)行開(kāi)關(guān)和調(diào)節(jié)的應(yīng)用中,如音頻信號(hào)處理、模擬傳感器信號(hào)處理等,4STS8816-VB 可以提供穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)特性和低電壓降,確保信號(hào)的清晰和準(zhǔn)確性。

通過(guò)以上示例,可以看出 4STS8816-VB 是一款適用于小功率電子設(shè)備和控制電路的 MOSFET,特別適合要求低電壓、中等電流處理能力的各種電源管理、電池保護(hù)和小型控制應(yīng)用。

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