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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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5521GM-VB一款Dual-P+P溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 5521GM-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8
  • 溝道 Dual-P+P

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 5521GM-VB SOP8 MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

5521GM-VB 是一款雙P+P溝道MOSFET,采用SOP8封裝。該器件具備-100V的漏極電壓(VDS)和±20V的柵極電壓(VGS)額定值,閾值電壓(Vth)為-2V。采用Trench技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),在VGS為10V時(shí)為110毫歐,能夠提供最大-4.5A的漏極電流(ID)。適用于需要負(fù)電壓操作和中等電流負(fù)載開(kāi)關(guān)以及功率控制的應(yīng)用場(chǎng)合。

### 5521GM-VB SOP8 MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

| 參數(shù)      | 值                             |
|-----------|--------------------------------|
| 封裝      | SOP8                           |
| 配置      | 雙P+P溝道                      |
| 漏極電壓 (VDS) | -100V                          |
| 柵極電壓 (VGS) | ±20V                           |
| 閾值電壓 (Vth) | -2V                            |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) @ VGS=10V | 110mΩ                          |
| 漏極電流 (ID) | -4.5A                          |
| 技術(shù)      | Trench                         |

### 5521GM-VB SOP8 MOSFET 的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

#### 應(yīng)用領(lǐng)域
1. **電源管理**:適用于需要負(fù)電壓開(kāi)關(guān)和穩(wěn)壓電路,如DC-DC轉(zhuǎn)換器和反向電源模塊。
2. **電動(dòng)工具**:在電動(dòng)工具的電機(jī)驅(qū)動(dòng)單元中,控制電機(jī)的啟停和轉(zhuǎn)向,確保設(shè)備的高效運(yùn)行和長(zhǎng)壽命。
3. **汽車電子**:用于汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng),如電池管理系統(tǒng)和電動(dòng)座椅控制模塊。
4. **工業(yè)控制**:在工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中的電源開(kāi)關(guān)和功率控制單元,如PLC控制器和電動(dòng)執(zhí)行器。

#### 模塊舉例
1. **反向電源模塊**:5521GM-VB 可用于反向電源模塊中的負(fù)電壓開(kāi)關(guān),確保電路的穩(wěn)定性和安全性。
2. **電動(dòng)車輛控制器**:在電動(dòng)車輛的電動(dòng)控制單元中,控制電機(jī)的啟停和速度調(diào)節(jié),保證車輛的高效動(dòng)力輸出和能效管理。
3. **醫(yī)療設(shè)備**:如X射線設(shè)備和激光器的電源控制模塊,提供穩(wěn)定的電壓輸出和高效的能量轉(zhuǎn)換。

5521GM-VB SOP8 MOSFET 由于其負(fù)電壓操作能力和適中的電流特性,適合于多種需要負(fù)電壓開(kāi)關(guān)和功率控制的應(yīng)用場(chǎng)合,能夠提供可靠的電力解決方案和優(yōu)良的熱穩(wěn)定性。

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