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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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5N50KL-TF3-T-VB一款Single-N溝道TO220F的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 5N50KL-TF3-T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220F
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 5N50KL-TF3-T-VB TO220F MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

5N50KL-TF3-T-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝。該器件適用于高壓應(yīng)用,具有650V的漏極-源極電壓(VDS),柵極電壓(VGS)為±30V,閾值電壓(Vth)為3.5V。采用Plannar技術(shù)制造,具有較高的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),為1100mΩ @ VGS=10V,但能提供最大7A的漏極電流(ID),適合于需要承受高電壓和中等電流的應(yīng)用場(chǎng)合。

### 5N50KL-TF3-T-VB TO220F MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

| 參數(shù)      | 值                             |
|-----------|--------------------------------|
| 封裝      | TO220F                          |
| 配置      | 單N溝道                         |
| 漏極-源極電壓 (VDS) | 650V                           |
| 柵極電壓 (VGS) | ±30V                           |
| 閾值電壓 (Vth) | 3.5V                           |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) @ VGS=10V | 1100mΩ                         |
| 漏極電流 (ID) | 7A                             |
| 技術(shù)      | Plannar                        |

### 5N50KL-TF3-T-VB TO220F MOSFET 的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

#### 應(yīng)用領(lǐng)域
1. **電源轉(zhuǎn)換器**:用于設(shè)計(jì)和制造高壓直流至直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器和交流至直流(AC-DC)電源轉(zhuǎn)換器。
2. **電動(dòng)車充電樁**:在電動(dòng)車充電樁的電源管理和控制模塊中,提供穩(wěn)定的電流控制和高效率的功率轉(zhuǎn)換。
3. **工業(yè)自動(dòng)化**:用于高壓工業(yè)設(shè)備和自動(dòng)化系統(tǒng)中的電源開關(guān)和控制。

#### 模塊舉例
1. **電源模塊**:集成在電源模塊中,用于各種工業(yè)和消費(fèi)電子設(shè)備的電源管理和開關(guān)控制。
2. **電動(dòng)車充電模塊**:用于電動(dòng)車充電樁中,確保高效、安全和可靠的電池充電過(guò)程。
 
5N50KL-TF3-T-VB TO220F MOSFET 由于其高壓能力和中等電流特性,是許多需要高壓耐受和中等功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用的理想選擇。

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