### 5R299P-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

5R299P-VB是一款單N溝道功率MOSFET，采用TO-247封裝。由VBsemi采用SJ_Multi-EPI技術制造，具有高電流和低導通電阻的特點，適用于需要高功率和高效能轉(zhuǎn)換的電力電子應用。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**: 5R299P-VB
- **封裝**: TO-247
- **配置**: 單N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 500V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3.8V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 80mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 40A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊實例

1. **工業(yè)電力設備**: 5R299P-VB適用于工業(yè)電力系統(tǒng)中的大功率逆變器和變頻器。其高電流處理能力和低導通電阻能夠有效提高能量轉(zhuǎn)換效率，適合用于電機驅(qū)動和高功率電源系統(tǒng)。

2. **電動車電源系統(tǒng)**: 在電動汽車和混合動力車輛的電動機驅(qū)動系統(tǒng)中，該MOSFET可以提供高效能的功率開關控制，幫助提升車輛的動力性能和續(xù)航里程。

3. **太陽能逆變器**: 用于太陽能光伏系統(tǒng)中的逆變器電路，5R299P-VB能夠有效地將太陽能電池板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電，以供電網(wǎng)使用或獨立發(fā)電系統(tǒng)。

4. **高性能服務器電源**: 在數(shù)據(jù)中心和高性能計算機系統(tǒng)中，該MOSFET可以用作高效能的電源開關元件，幫助提供穩(wěn)定的電力供應和能效優(yōu)化。

5. **工業(yè)高頻電源**: 在需要高頻率和高效能電源轉(zhuǎn)換的工業(yè)設備中，5R299P-VB能夠有效地控制電能的轉(zhuǎn)換和分配，如高頻逆變器、工業(yè)電爐等。

綜上所述，5R299P-VB MOSFET以其高電流承載能力、低導通電阻和穩(wěn)定的性能特性，在多種高功率和高效能電子設備中展現(xiàn)了廣泛的應用潛力，是設計高性能電力電子系統(tǒng)的理想選擇。