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東莞市中銘電子

東莞市中銘電子是一家從事半導體芯片和器件研發(fā)、技術方案服務及銷售一體的技術公司

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NSG6001 650V 單相高低側(cè)功率 MOSFET/IGBT 驅(qū)動芯片

型號： NSG6001

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 型號 NSG6001

--- 產(chǎn)品詳情 ---

NSG6001 650V單相高低側(cè)功率MOSFET/IGBT驅(qū)動芯片

 

一、概述

NSG6001是一款高壓、高速功率MOSFET高低側(cè)驅(qū)動芯片。具有獨立的高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道。NSG6001采用高低壓兼容工藝使得高、低側(cè)柵驅(qū)動電路可以單芯片集成，邏輯輸入電平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。NSG6001其浮動通道可用于驅(qū)動高壓側(cè)N溝道功率MOSFET，浮地通道最高工作電壓可達600V。NSG6001采用SOP8封裝，可以在-40℃至125℃溫度范圍內(nèi)工作。

 

二、產(chǎn)品特性

自舉工作的浮地通道
最高芯片耐壓為+650V
兼容3.3V, 5V和15V輸入邏輯
dVS/dt耐受能力可達±50V/ns
Vs負偏壓能力達-9V
集成 VCC、VBS 欠壓鎖定電路
-- VCC 欠壓鎖定閾值 8.7V/7.7V
-- VBS 欠壓鎖定閾值 8.2V/7.3V
芯片傳輸延時特性
-- 開通/關斷傳輸延時Ton/Toff=350ns/150ns
-- 延遲匹配時間小于50ns
防止直通保護
-- 死區(qū)時間 130ns
寬溫度范圍-40°C~125°C
符合RoSH標準
SOP8(S)

 

三、應用

電機控制

空調(diào)/洗衣機

通用逆變器

逆變器驅(qū)動

 

四、封裝信息

五、簡化示意圖

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