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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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60N03GJ-VB一款Single-N溝道TO251的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 60N03GJ-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO251
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、60N03GJ-VB產(chǎn)品簡介

60N03GJ-VB是一款高性能單N溝道MOSFET,由VBsemi生產(chǎn),采用TO251封裝。該器件設(shè)計用于低電壓應(yīng)用,具備30V的漏源電壓和高達(dá)100A的最大漏極電流能力。采用Trench技術(shù),提供低導(dǎo)通電阻和高效能特性,適合要求高功率密度和高效能的應(yīng)用場合。

### 二、60N03GJ-VB詳細(xì)參數(shù)說明

| 參數(shù) | 數(shù)值 | 備注 |
| --- | --- | --- |
| **封裝類型** | TO251 | 典型的三引腳封裝 |
| **配置** | 單N溝道 | 單一N溝道MOSFET |
| **VDS (漏源電壓)** | 30V | 適用于低電壓應(yīng)用 |
| **VGS (柵源電壓)** | ±20V | 柵源電壓范圍 |
| **Vth (閾值電壓)** | 1.7V | 柵源開啟電壓 |
| **RDS(ON) @ VGS=4.5V** | 4.5mΩ | 導(dǎo)通電阻 |
| **RDS(ON) @ VGS=10V** | 3.5mΩ | 導(dǎo)通電阻 |
| **ID (漏極電流)** | 100A | 最大連續(xù)電流 |
| **技術(shù)** | Trench | Trench溝道結(jié)構(gòu),提供低導(dǎo)通電阻和高效能 |

### 三、60N03GJ-VB的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

60N03GJ-VB適用于多種低電壓、高功率應(yīng)用場景:

1. **電機驅(qū)動**
  - **應(yīng)用場景**:適用于電動工具和電動車輛中的電機驅(qū)動模塊。
  - **示例**:在電動工具的電機驅(qū)動系統(tǒng)中,60N03GJ-VB能夠提供高效的電能轉(zhuǎn)換和快速的電動機響應(yīng),確保設(shè)備的高性能和長壽命。

2. **電源管理**
  - **應(yīng)用場景**:用于電源開關(guān)和電源管理模塊。
  - **示例**:在各類電子設(shè)備的電源管理系統(tǒng)中,60N03GJ-VB能夠提供穩(wěn)定的電能轉(zhuǎn)換和高效的功率控制,確保設(shè)備的穩(wěn)定運行和能效優(yōu)化。

3. **電池保護(hù)**
  - **應(yīng)用場景**:適用于鋰電池保護(hù)電路中的功率開關(guān)。
  - **示例**:在移動電子設(shè)備和便攜式電源系統(tǒng)中,60N03GJ-VB能夠作為鋰電池保護(hù)電路的關(guān)鍵組成部分,確保電池充放電過程中的安全性和效率。

4. **低壓直流-直流轉(zhuǎn)換器**
  - **應(yīng)用場景**:用于低壓直流-直流轉(zhuǎn)換器的功率開關(guān)和控制。
  - **示例**:在通信設(shè)備和工業(yè)自動化控制系統(tǒng)中,60N03GJ-VB能夠提供高效的直流轉(zhuǎn)換和電能管理,確保設(shè)備的穩(wěn)定運行和系統(tǒng)的可靠性。

總之,60N03GJ-VB是一款設(shè)計精良、性能優(yōu)越的MOSFET,適用于電機驅(qū)動、電源管理、電池保護(hù)和低壓直流-直流轉(zhuǎn)換器等多種低電壓、高功率應(yīng)用場合,為各類電子設(shè)備提供可靠的功率控制和電能轉(zhuǎn)換解決方案。

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