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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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65E6600-VB TO252一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 65E6600-VB TO252
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、65E6600-VB產(chǎn)品簡(jiǎn)介

65E6600-VB是一款由VBsemi制造的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝。該器件具有700V的漏源電壓和10A的最大漏極電流,采用SJ_Multi-EPI技術(shù),結(jié)合多重EPI工藝,提供較低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)良的功率特性,非常適合高電壓和中等電流的應(yīng)用。

### 二、65E6600-VB詳細(xì)參數(shù)說明

| 參數(shù) | 數(shù)值 | 備注 |
| --- | --- | --- |
| **封裝類型** | TO252 | 緊湊型高功率封裝 |
| **配置** | 單N溝道 | 單通道N溝道MOSFET |
| **VDS (漏源電壓)** | 700V | 適用于高壓應(yīng)用 |
| **VGS (柵源電壓)** | ±30V | 柵源電壓范圍 |
| **Vth (閾值電壓)** | 3.5V | 柵源開啟電壓 |
| **RDS(ON) @ VGS=10V** | 600mΩ | 導(dǎo)通電阻 |
| **ID (漏極電流)** | 10A | 最大連續(xù)電流 |
| **技術(shù)** | SJ_Multi-EPI | 多重EPI工藝,優(yōu)化導(dǎo)通特性和功率效率 |

### 三、65E6600-VB的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

65E6600-VB適用于多種高壓、中等電流的電子設(shè)備和系統(tǒng):

1. **開關(guān)電源**
  - **應(yīng)用場(chǎng)景**:用于高效能開關(guān)電源中的功率轉(zhuǎn)換和控制。
  - **示例**:在臺(tái)式電腦電源、服務(wù)器電源等開關(guān)電源中,65E6600-VB能夠提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電壓輸出,確保設(shè)備的安全和可靠運(yùn)行。

2. **照明設(shè)備**
  - **應(yīng)用場(chǎng)景**:適用于LED驅(qū)動(dòng)電源和高壓照明設(shè)備。
  - **示例**:在LED路燈、舞臺(tái)照明和工業(yè)照明系統(tǒng)中,65E6600-VB能夠提供高效的電源驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)定的電流控制,支持高亮度和長(zhǎng)壽命的照明效果。

3. **工業(yè)控制系統(tǒng)**
  - **應(yīng)用場(chǎng)景**:用于工業(yè)自動(dòng)化和控制設(shè)備中的電源管理和功率調(diào)節(jié)。
  - **示例**:在工業(yè)控制系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電力調(diào)節(jié)設(shè)備中,65E6600-VB能夠提供可靠的功率控制和高效的電能管理,支持工業(yè)設(shè)備的高效運(yùn)行和精確控制。

4. **消費(fèi)電子**
  - **應(yīng)用場(chǎng)景**:適用于高壓、高效能的消費(fèi)電子產(chǎn)品電源管理。
  - **示例**:在智能家居設(shè)備、音響系統(tǒng)和高性能電子設(shè)備中,65E6600-VB能夠提供穩(wěn)定的電源控制和高效的能量管理,提升產(chǎn)品性能和用戶體驗(yàn)。

綜上所述,65E6600-VB是一款適用于高壓、中等電流需求的單N溝道MOSFET,通過其優(yōu)越的導(dǎo)通特性和高效率設(shè)計(jì),廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、照明設(shè)備、工業(yè)控制系統(tǒng)和消費(fèi)電子等領(lǐng)域,為各類電子設(shè)備和系統(tǒng)提供穩(wěn)定可靠的功率解決方案。

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