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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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6800GEO-VB一款Common Drain-N+N溝道TSSOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 6800GEO-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TSSOP8
  • 溝道 Common Drain-N+N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**型號:** 6800GEO-VB  
**封裝:** TSSOP8  
**配置:** 共柵-N+N-溝道  
**VDS:** 20V  
**VGS:** 20(±V)  
**Vth:** 0.5~1.5V  
**RDS(ON):** 32mΩ @ VGS=2.5V, 22mΩ @ VGS=4.5V  
**ID:** 6.6A  
**技術(shù):** Trench

6800GEO-VB是一款集成了共柵-N+N-溝道結(jié)構(gòu)的功率MOSFET,適用于低壓和中功率應(yīng)用。其TSSOP8封裝具有較小的占用空間,適合于要求緊湊和高集成度的電子設(shè)備。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

| 參數(shù)                | 數(shù)值                |
|-------------------|-------------------|
| 型號                | 6800GEO-VB         |
| 封裝                | TSSOP8             |
| 配置                | 共柵-N+N-溝道         |
| 漏極-源極電壓(VDS) | 20V                |
| 柵極-源極電壓(VGS) | 20(±V)            |
| 門限電壓范圍(Vth)  | 0.5~1.5V           |
| 導(dǎo)通電阻(RDS(ON))  | 32mΩ @ VGS=2.5V, 22mΩ @ VGS=4.5V |
| 最大漏極電流(ID)   | 6.6A               |
| 技術(shù)                | Trench             |

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例

1. **電源管理(Power Management):**
  6800GEO-VB適用于低壓電源管理,如智能手機(jī)、平板電腦和便攜式消費電子產(chǎn)品的電源轉(zhuǎn)換和電池管理模塊。其低導(dǎo)通電阻和高效能特性有助于延長電池使用時間。

2. **可穿戴設(shè)備(Wearable Devices):**
  在小型和低功耗的可穿戴設(shè)備中,該型號MOSFET可用于電源管理和信號處理電路,支持設(shè)備的穩(wěn)定運行和長時間使用。

3. **工業(yè)控制(Industrial Control):**
  在工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)中,6800GEO-VB可以作為電機(jī)驅(qū)動器和電源開關(guān),確保設(shè)備的高效運行和精確控制。

4. **汽車電子(Automotive Electronics):**
  由于其小尺寸和可靠性,該型號MOSFET可用于汽車電子控制單元(ECU)中的低壓電源開關(guān)和控制,支持車輛內(nèi)部電子設(shè)備的高效能供電。

5. **通信設(shè)備(Communication Devices):**
  在通信基礎(chǔ)設(shè)施和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中,6800GEO-VB能夠提供穩(wěn)定的電源管理和功率轉(zhuǎn)換,確保設(shè)備的持續(xù)性能和可靠性。

以上示例展示了6800GEO-VB在電源管理、可穿戴設(shè)備、工業(yè)控制、汽車電子和通信設(shè)備等多個領(lǐng)域中的應(yīng)用潛力,其優(yōu)越的電性能和封裝特性使其適合于各種中低功率電子應(yīng)用。

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