### 6N60-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

6N60-VB是一款單通道N溝道功率MOSFET，采用TO252封裝，由VBsemi采用SJ_Multi-EPI技術制造。這款MOSFET具有高壓耐受能力和適中的電流承載能力，適合用于中等功率的應用場合。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**: 6N60-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單通道N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 1000mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 5A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊實例

1. **電源逆變器**: 6N60-VB適用于電源逆變器和UPS系統(tǒng)，用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電，提供穩(wěn)定的電力輸出。

2. **電動汽車充電樁**: 在電動汽車充電樁中，6N60-VB可以用于電池充電控制電路，確保高效率和安全性。

3. **工業(yè)電機驅(qū)動**: 在工業(yè)控制系統(tǒng)中，這款MOSFET可用于電機驅(qū)動器和其他高壓電源管理應用，支持高效的電力控制和調(diào)節(jié)。

4. **電源轉(zhuǎn)換器**: 6N60-VB在各種電源轉(zhuǎn)換器中發(fā)揮作用，包括開關電源和電力轉(zhuǎn)換器，支持穩(wěn)定的電壓和電流輸出。

5. **照明系統(tǒng)**: 在高壓LED驅(qū)動器和其他照明應用中，這款MOSFET可以用于控制LED模塊的電流和功率，提供可靠的照明解決方案。

6N60-VB通過其高壓耐受能力和適中的電流承載能力，為多種工業(yè)和電子應用提供了可靠的功率開關解決方案。