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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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6N65L-TN3-R-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 6N65L-TN3-R-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 6N65L-TN3-R-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

6N65L-TN3-R-VB是一款單N溝道功率MOSFET,采用TO252封裝。它具有650V的漏源電壓和5A的漏電流能力,適合于需要中等電壓和電流處理能力的應(yīng)用。采用了SJ_Multi-EPI技術(shù),具有較低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,適用于多種電力電子應(yīng)用場(chǎng)合。

### 6N65L-TN3-R-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類型**:TO252
- **極性配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵源電壓 (VGS)**:30V (±)
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:1000mΩ @ VGS=10V
- **漏電流 (ID)**:5A
- **技術(shù)類型**:SJ_Multi-EPI

### 6N65L-TN3-R-VB MOSFET 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **電源適配器**:由于6N65L-TN3-R-VB具有較高的漏源電壓和適中的電流能力,它非常適合用作筆記本電腦和手機(jī)充電器等電源適配器中的開關(guān)管。其優(yōu)秀的導(dǎo)通特性和熱穩(wěn)定性可以提高設(shè)備的效率和可靠性。

2. **電動(dòng)工具**:在電動(dòng)工具如電鉆、電錘等中,這款MOSFET可以作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)的關(guān)鍵部件。它能夠有效地控制電機(jī)的啟停和速度調(diào)節(jié),同時(shí)保持系統(tǒng)的高效能和長(zhǎng)壽命。

3. **電動(dòng)車充電器**:對(duì)于電動(dòng)車充電器,6N65L-TN3-R-VB的650V漏源電壓可以滿足大容量電池組的快速充電需求,同時(shí)其低導(dǎo)通電阻和高電流能力確保充電效率和安全性。

通過以上例子,可以看出6N65L-TN3-R-VB MOSFET適用于需要中等至高電壓、中等電流處理能力的廣泛應(yīng)用領(lǐng)域,包括消費(fèi)電子、工業(yè)電子和電動(dòng)車輛等。

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