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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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6P02-VB一款Single-P溝道SOT223的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 6P02-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT223
  • 溝道 Single-P

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 6P02-VB SOT223 MOSFET Product Overview

**產(chǎn)品簡(jiǎn)介詳述:**

6P02-VB 是一款單P溝道MOSFET,采用SOT223封裝。該MOSFET設(shè)計(jì)用于低壓電路中的功率開關(guān)和控制應(yīng)用。它具有-40V的漏極-源極電壓(VDS)額定值和±20V的柵極-源極電壓(VGS)容限。門限電壓(Vth)為-1.7V,適合低電壓操作。在VGS為4.5V時(shí),其導(dǎo)通電阻RDS(on)為48mΩ,在VGS為10V時(shí)為40mΩ,保證了低導(dǎo)通損耗。該器件能夠承受最大-6.2A的漏極電流(ID),采用了Trench工藝,提供了高效的功率開關(guān)性能。

### 6P02-VB SOT223 MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

**詳細(xì)參數(shù):**

- **器件配置:** 單P溝道
- **封裝類型:** SOT223
- **漏極-源極電壓(VDS):** -40V
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **門限電壓(Vth):** -1.7V
- **漏極-源極導(dǎo)通電阻(RDS(on)):**
 - VGS = 4.5V時(shí):48mΩ
 - VGS = 10V時(shí):40mΩ
- **最大漏極電流(ID):** -6.2A
- **技術(shù)特點(diǎn):** Trench工藝

### 適用領(lǐng)域和模塊示例

**應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:**

6P02-VB SOT223 MOSFET適用于多種領(lǐng)域和模塊,包括:

1. **移動(dòng)設(shè)備充電管理:**
  - 在智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)設(shè)備的充電管理電路中使用,控制充電電流和保護(hù)電池。

2. **低電壓電源管理:**
  - 在低電壓電源單元中,如5V或12V的電源管理系統(tǒng)中,用于功率開關(guān)和電路保護(hù)。

3. **車載電子系統(tǒng):**
  - 在汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和電動(dòng)設(shè)備控制,如車載充電器和電動(dòng)汽車控制單元。

4. **便攜式電子產(chǎn)品:**
  - 在便攜式電子產(chǎn)品中的電源開關(guān)和電路控制,如便攜式音頻設(shè)備、電動(dòng)工具等。

5. **LED驅(qū)動(dòng)器:**
  - 在LED照明系統(tǒng)中用于功率開關(guān)和LED驅(qū)動(dòng)電路,支持高效率和穩(wěn)定的照明解決方案。

6. **工業(yè)控制系統(tǒng):**
  - 在工業(yè)自動(dòng)化和控制系統(tǒng)中,用于低電壓電路的功率開關(guān)和設(shè)備控制,確保系統(tǒng)穩(wěn)定和可靠性。

通過(guò)將6P02-VB SOT223 MOSFET集成到這些領(lǐng)域和模塊中,設(shè)計(jì)者可以實(shí)現(xiàn)更高的性能、節(jié)能和可靠性,滿足各種電子設(shè)備和系統(tǒng)的需求。

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