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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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6R199P-VB TO220一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 6R199P-VB TO220
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 1. 產(chǎn)品簡介:

VBsemi 6R199P-VB TO220 是一款單通道 N 型功率 MOSFET,設(shè)計(jì)用于要求高效能和可靠性的應(yīng)用。其650V的漏極-源極電壓(VDS),以及最大30V的柵極-源極電壓(VGS)范圍,使其適用于多種工業(yè)和消費(fèi)電子設(shè)備中的功率開關(guān)應(yīng)用。

### 2. 詳細(xì)參數(shù)說明:

- **包裝類型(Package)**:TO220
- **結(jié)構(gòu)配置(Configuration)**:單 N 型通道
- **漏極-源極電壓(VDS)**:650V
- **柵極-源極電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V(典型)
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:160mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**:20A
- **技術(shù)特性(Technology)**:SJ_Multi-EPI(多重外延技術(shù))

### 3. 應(yīng)用舉例:

這款MOSFET適用于以下領(lǐng)域和模塊:

- **電源轉(zhuǎn)換器**:在650V的漏極電壓和20A的漏極電流下,6R199P-VB TO220 可以有效地用于高功率開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器,如電源適配器和開關(guān)模式電源(SMPS)。

- **電動(dòng)汽車充電樁**:由于其高達(dá)650V的漏極電壓和低導(dǎo)通電阻,該型號(hào)非常適合用于電動(dòng)汽車充電樁中的功率開關(guān)和控制單元。

- **工業(yè)控制系統(tǒng)**:在工業(yè)自動(dòng)化和機(jī)器人控制系統(tǒng)中,6R199P-VB TO220 可以用作電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和逆變器的功率開關(guān)元件,以實(shí)現(xiàn)高效能的電力控制。

這些示例顯示了該產(chǎn)品在需要高功率密度和可靠性的應(yīng)用中的廣泛適用性,展示了其在工業(yè)和消費(fèi)電子領(lǐng)域的價(jià)值和應(yīng)用潛力。

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