### 6R199P-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

6R199P-VB是一款單N溝道功率MOSFET，采用TO263封裝。它具有650V的漏源電壓和20A的漏電流能力，適合于中等電壓和電流處理能力的應(yīng)用場(chǎng)合。采用了SJ_Multi-EPI技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，適用于工業(yè)和消費(fèi)電子設(shè)備中的功率控制和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

### 6R199P-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類型**：TO263
- **極性配置**：?jiǎn)蜰溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：650V
- **柵源電壓 (VGS)**：30V (±)
- **閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：160mΩ @ VGS=10V
- **漏電流 (ID)**：20A
- **技術(shù)類型**：SJ_Multi-EPI

### 6R199P-VB MOSFET 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **電源供應(yīng)模塊**：6R199P-VB適用于電源供應(yīng)模塊中的開(kāi)關(guān)電源控制。其中等電壓和電流處理能力使其能夠有效地控制電源開(kāi)關(guān)和調(diào)節(jié)，提高設(shè)備的能效和穩(wěn)定性。

2. **工業(yè)自動(dòng)化**：在工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中，這款MOSFET可以作為各種電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和開(kāi)關(guān)器件使用。其良好的導(dǎo)通特性和熱穩(wěn)定性確保了設(shè)備在高負(fù)載和惡劣工作環(huán)境下的可靠運(yùn)行。

3. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**：例如電視機(jī)和音響設(shè)備中的電源管理和開(kāi)關(guān)控制電路中，6R199P-VB的性能可以提升設(shè)備的能效，同時(shí)減少功耗和熱量產(chǎn)生。

通過(guò)以上應(yīng)用示例，可以看出6R199P-VB MOSFET適用于中等功率要求的多種應(yīng)用領(lǐng)域，包括電源供應(yīng)模塊、工業(yè)自動(dòng)化和消費(fèi)電子產(chǎn)品等，為這些領(lǐng)域的電子設(shè)備提供了可靠的功率控制解決方案。