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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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6R250P-VB TO263一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 6R250P-VB TO263
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:

MOSFET型號:6R250P-VB  
封裝:TO263  
配置:單N溝道  
耐壓(VDS):650V  
柵極-源極電壓(VGS):±30V  
閾值電壓(Vth):3.5V  
導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):160mΩ @ VGS=10V  
漏極電流(ID):20A  
技術(shù):SJ_Multi-EPI

### 參數(shù)說明:

- **封裝類型(Package):** TO263,具有較好的散熱性能,適合中功率應(yīng)用。
- **配置(Configuration):** 單N溝道,適用于開關(guān)和線性控制應(yīng)用。
- **耐壓(VDS):** 650V,適合要求較高耐壓的電源和驅(qū)動電路。
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±30V,支持廣泛的驅(qū)動電壓范圍。
- **閾值電壓(Vth):** 3.5V,確??煽康拈_關(guān)操作。
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 160mΩ @ VGS=10V,低導(dǎo)通電阻帶來較低的導(dǎo)通功耗和熱損失。
- **漏極電流(ID):** 20A,能夠處理較高的電流負(fù)載。
- **技術(shù)特性(Technology):** SJ_Multi-EPI,采用多重EPI工藝,提升了器件的性能和可靠性。

### 應(yīng)用示例:

1. **電動汽車充電器:** 6R250P-VB因其高耐壓和高電流能力,在電動汽車充電器中可以有效地處理高功率充電需求,同時保證系統(tǒng)的安全和穩(wěn)定性。
  
2. **工業(yè)電源逆變器:** 由于其低導(dǎo)通電阻和高耐壓特性,適用于工業(yè)電源逆變器模塊,支持工業(yè)設(shè)備的高效能源轉(zhuǎn)換。
  
3. **太陽能逆變器:** 在太陽能逆變器中,6R250P-VB可以提供可靠的電能轉(zhuǎn)換,適用于太陽能發(fā)電系統(tǒng)中的功率控制和電網(wǎng)連接。

這些應(yīng)用示例展示了6R250P-VB在多個領(lǐng)域和模塊中的廣泛應(yīng)用,體現(xiàn)了其在高性能和高可靠性要求下的優(yōu)越表現(xiàn)。

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