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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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6R299P-VB TO247一款Single-N溝道TO247的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 6R299P-VB TO247
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO247
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:

MOSFET型號:6R299P-VB  
封裝:TO247  
配置:單N溝道  
耐壓(VDS):650V  
柵極-源極電壓(VGS):±30V  
閾值電壓(Vth):3.5V  
導通電阻(RDS(ON)):300mΩ @ VGS=10V  
漏極電流(ID):15A  
技術(shù):SJ_Multi-EPI

### 參數(shù)說明:

- **封裝類型(Package):** TO247,適合高功率應(yīng)用,提供良好的熱管理和散熱性能。
- **配置(Configuration):** 單N溝道,適用于開關(guān)和線性控制應(yīng)用。
- **耐壓(VDS):** 650V,適合要求較高耐壓的電源和驅(qū)動電路。
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±30V,支持廣泛的驅(qū)動電壓范圍。
- **閾值電壓(Vth):** 3.5V,確??煽康拈_關(guān)操作。
- **導通電阻(RDS(ON)):** 300mΩ @ VGS=10V,較低的導通電阻有助于減少導通時的功耗和熱損失。
- **漏極電流(ID):** 15A,能夠處理中等電流負載。
- **技術(shù)特性(Technology):** SJ_Multi-EPI,采用多重EPI工藝,提升了器件的性能和可靠性。

### 應(yīng)用示例:

1. **電動車輛電池管理系統(tǒng):** 6R299P-VB適合用于電動車輛的電池管理系統(tǒng)中,可以有效地控制電池充放電過程,提高電池壽命和系統(tǒng)效率。
  
2. **太陽能逆變器:** 在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中,這款MOSFET可以用于逆變器模塊,支持太陽能電能的高效轉(zhuǎn)換,適應(yīng)不同光照條件下的電能輸出穩(wěn)定性。
  
3. **工業(yè)電源模塊:** 由于其高耐壓和適中的電流處理能力,適合用于工業(yè)電源模塊中,支持工業(yè)設(shè)備的穩(wěn)定運行和高效能耗控制。

這些示例展示了6R299P-VB在不同領(lǐng)域和模塊中的應(yīng)用,顯示出其在高壓、中功率場合下的優(yōu)良性能和可靠性。

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