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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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702YW-VB一款Dual-N+N溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 702YW-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-6
  • 溝道 Dual-N+N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 1. 產(chǎn)品簡介

702YW-VB 是一款雙通道 N+N 溝道功率 MOSFET,采用 SOT23-6 封裝。它具有60V的漏極-源極電壓(VDS),適合低壓應(yīng)用。此產(chǎn)品采用了 Trench 技術(shù),提供高性能和可靠性。

### 2. 參數(shù)說明

- **封裝類型:** SOT23-6
- **通道類型:** 雙 N+N 溝道
- **漏極-源極電壓(VDS):** 60V
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):**
 - 3000mΩ @ VGS = 4.5V
 - 1800mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID):** 0.35A
- **技術(shù):** Trench

### 3. 應(yīng)用示例

702YW-VB 在多種領(lǐng)域和模塊中具有廣泛的適用性,以下是一些示例:

- **移動(dòng)設(shè)備:** 在便攜式電子設(shè)備中,如智能手機(jī)、平板電腦,需要小尺寸和低功耗的 MOSFET 來驅(qū)動(dòng)各種電路,702YW-VB 的低漏極-源極電壓和適中的漏極電流使其成為電源管理和信號(hào)處理電路的理想選擇。

- **電源管理:** 在低電壓電源管理中,如電池供電設(shè)備、小功率逆變器,702YW-VB 的60V VDS 和低導(dǎo)通電阻特性(尤其在高電壓下的1800mΩ @ 10V)可以提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源輸出。

- **汽車電子:** 在汽車電子系統(tǒng)中,需要處理低電壓和小電流的場合,例如傳感器和控制模塊,702YW-VB 可以提供可靠的性能和緊湊的封裝,適合應(yīng)對(duì)汽車環(huán)境中的挑戰(zhàn)。

這些示例展示了 702YW-VB 在低電壓、小尺寸和低功耗應(yīng)用中的優(yōu)越性能和廣泛適用性,通過其 Trench 技術(shù)和優(yōu)秀的電氣特性,支持了多個(gè)領(lǐng)域的電子和汽車應(yīng)用需求。

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