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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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70N10F4-VB TO262一款Single-N溝道TO262的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: 70N10F4-VB TO262
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO262
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:

MOSFET型號:70N10F4-VB  
封裝:TO262  
配置:單N溝道  
耐壓(VDS):100V  
柵極-源極電壓(VGS):±20V  
閾值電壓(Vth):2.5V  
導通電阻(RDS(ON)):10mΩ @ VGS=4.5V, 9mΩ @ VGS=10V  
漏極電流(ID):100A  
技術(shù):Trench

### 參數(shù)說明:

- **封裝類型(Package):** TO262,適合中功率應用,具有良好的散熱性能和緊湊的封裝尺寸。
- **配置(Configuration):** 單N溝道,適用于開關(guān)和線性控制應用。
- **耐壓(VDS):** 100V,適合中高壓電路和電源管理系統(tǒng)。
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±20V,支持廣泛的驅(qū)動電壓范圍。
- **閾值電壓(Vth):** 2.5V,確保可靠的開關(guān)操作。
- **導通電阻(RDS(ON)):** 
 - 10mΩ @ VGS=4.5V,在低驅(qū)動電壓下的導通電阻。
 - 9mΩ @ VGS=10V,在標準驅(qū)動電壓下的更低導通電阻,有助于降低功耗和熱損失。
- **漏極電流(ID):** 100A,能夠處理大電流負載。
- **技術(shù)特性(Technology):** Trench,采用溝道(Trench)結(jié)構(gòu),提升了器件的性能和可靠性。

### 應用示例:

1. **電源開關(guān)和穩(wěn)壓模塊:** 70N10F4-VB適用于電源開關(guān)和穩(wěn)壓模塊,如服務器電源和工業(yè)電源系統(tǒng)中的高效能電源管理。
  
2. **電動車輛電機驅(qū)動:** 在電動汽車和電動自行車的電機驅(qū)動系統(tǒng)中,這款MOSFET可以用于電機控制和高效能能量轉(zhuǎn)換,提升車輛的動力性能和行駛距離。
  
3. **工業(yè)自動化設(shè)備:** 由于其高電流和低導通電阻特性,適合用于工業(yè)自動化設(shè)備中的電機控制、電源開關(guān)和驅(qū)動電路,確保設(shè)備的穩(wěn)定運行和高效能。

這些示例展示了70N10F4-VB在不同領(lǐng)域和應用模塊中的廣泛應用,顯示出其在高電壓、高電流和高效能要求下的優(yōu)異性能和可靠性。

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