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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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75N03GS-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 75N03GS-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

VBsemi 75N03GS-VB TO263 是一款單通道 N 型功率 MOSFET,采用了Trench溝槽結(jié)構(gòu)技術(shù),適用于要求高效率和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用場(chǎng)合。該器件具備30V的漏極-源極電壓(VDS),以及20V的最大柵極-源極電壓(VGS)范圍。優(yōu)化的導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)特性使其適用于高電流和快速開(kāi)關(guān)的功率控制電路。

### 2. 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:

- **包裝類(lèi)型(Package)**:TO263
- **結(jié)構(gòu)配置(Configuration)**:?jiǎn)?N 型通道
- **漏極-源極電壓(VDS)**:30V
- **柵極-源極電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V(典型)
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 2.7mΩ @ VGS = 4.5V
 - 2.4mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**:98A
- **技術(shù)特性(Technology)**:Trench(溝槽結(jié)構(gòu)技術(shù))

### 3. 應(yīng)用舉例:

75N03GS-VB TO263 在多個(gè)領(lǐng)域和模塊中具有廣泛應(yīng)用:

- **電源模塊**:用于高效率的開(kāi)關(guān)電源和電源轉(zhuǎn)換器,能夠支持高電流密度和低功率損耗的要求。

- **電動(dòng)工具**:在電動(dòng)工具的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,特別適用于需要高電流處理能力和頻繁開(kāi)關(guān)操作的場(chǎng)合。

- **電動(dòng)車(chē)輛**:在電動(dòng)車(chē)輛的電池管理系統(tǒng)和電動(dòng)驅(qū)動(dòng)控制器中,用于高功率密度和高效率的功率開(kāi)關(guān)。

以上示例展示了該產(chǎn)品在電源模塊、電動(dòng)工具和電動(dòng)車(chē)輛等領(lǐng)域中的應(yīng)用潛力,體現(xiàn)了其在高電壓、高電流和低導(dǎo)通電阻要求下的優(yōu)越性能和廣泛適用性。

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