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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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72210E-VB一款Single-N溝道SOT669的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 72210E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT669
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介詳述:

MOSFET型號(hào):72210E-VB  
封裝:SOT669  
構(gòu)型:?jiǎn)蜰溝道  
耐壓(VDS):100V  
柵極-源極電壓(VGS):±20V  
閾值電壓(Vth):1.4V  
導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):
- 13.92mΩ @ VGS=4.5V
- 11.6mΩ @ VGS=10V  
漏極電流(ID):69A  
技術(shù):Trench  

### 詳細(xì)參數(shù)說明:

- **封裝類型**:SOT669,緊湊型封裝,適合高密度電路設(shè)計(jì)。
- **構(gòu)型**:?jiǎn)蜰溝道設(shè)計(jì),優(yōu)化了導(dǎo)通電阻和開關(guān)速度。
- **耐壓**:100V,適用于高電壓電源和電路控制應(yīng)用。
- **柵極驅(qū)動(dòng)**:支持高達(dá)±20V的柵極-源極電壓,提供靈活的控制。
- **閾值電壓**:1.4V,確保低壓下的良好開啟和關(guān)閉特性。
- **導(dǎo)通電阻**:
 - 13.92mΩ @ VGS=4.5V,低導(dǎo)通電阻在低電壓下有效降低功率損耗。
 - 11.6mΩ @ VGS=10V,進(jìn)一步降低功率損耗,適合高電壓操作。
- **漏極電流**:69A,能夠處理高電流負(fù)載的需求。

### 應(yīng)用示例:

1. **電源轉(zhuǎn)換器**:72210E-VB SOT669 MOSFET 可用于高效率電源轉(zhuǎn)換器和DC-DC轉(zhuǎn)換器,提升能源轉(zhuǎn)換效率和功率密度。

2. **電動(dòng)工具**:在電動(dòng)工具的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,這種MOSFET可以用作電機(jī)控制和功率輸出的關(guān)鍵部件,確保工具的高性能和長(zhǎng)期可靠性。

3. **電動(dòng)汽車**:適用于電動(dòng)汽車的電池管理系統(tǒng)和電動(dòng)驅(qū)動(dòng)控制,支持高效的能源轉(zhuǎn)換和動(dòng)力管理。

4. **工業(yè)自動(dòng)化**:用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和自動(dòng)化設(shè)備的功率放大器和開關(guān)控制,確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和高效能。

5. **服務(wù)器電源**:在高性能服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的電源管理模塊中,用作電流開關(guān)和電壓穩(wěn)定器,提供穩(wěn)定的電力輸出和節(jié)能優(yōu)勢(shì)。

這些示例展示了72210E-VB SOT669 MOSFET在多個(gè)領(lǐng)域和模塊中的廣泛應(yīng)用,顯示了其在高電壓、高效能電子系統(tǒng)中的優(yōu)異性能和適用性。

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