--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO263
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介詳述:
VBsemi MOSFET型號 75N06-VB,采用TO263封裝,是單通道N溝道MOSFET。其主要特性包括60V的漏極-源極電壓(VDS),20V的柵極-源極電壓(VGS,可正負(fù)),3V的閾值電壓(Vth),以及在不同柵極-源極電壓下的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):4mΩ @ VGS=10V。其最大漏極電流(ID)為150A,采用Trench技術(shù)。
### 詳細(xì)參數(shù)說明:
- **封裝類型:** TO263
- **溝道類型:** 單N溝道
- **漏極-源極電壓(VDS):** 60V
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 3V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 4mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID):** 150A
- **技術(shù):** Trench

### 應(yīng)用舉例:
1. **電動汽車電力系統(tǒng):** 75N06-VB適用于電動汽車的電池管理系統(tǒng)和電動驅(qū)動控制。其高漏極電壓和低導(dǎo)通電阻特性,能夠支持高效的電能轉(zhuǎn)換和動力輸出。
2. **工業(yè)電源模塊:** 在高功率開關(guān)電源和DC-DC變換器中,該MOSFET能夠提供穩(wěn)定的電能轉(zhuǎn)換和電源管理。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,有助于提升系統(tǒng)的功率密度和效率。
3. **服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心:** 由于其高漏極電壓和高電流承載能力,75N06-VB適用于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的電源管理系統(tǒng),確保設(shè)備在不同電力條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。
4. **工業(yè)自動化設(shè)備:** 在工業(yè)自動化設(shè)備中的電力電子模塊中,該型號能夠支持高效的功率轉(zhuǎn)換和電能管理,適用于各種高負(fù)載和頻繁操作的工業(yè)應(yīng)用場景。
以上示例展示了75N06-VB在多個(gè)領(lǐng)域中的廣泛應(yīng)用,其特有的技術(shù)優(yōu)勢使其成為高性能電子系統(tǒng)中的理想選擇。
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