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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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76132S-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 76132S-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**型號(hào):** 76132S-VB  
**封裝:** TO263  
**配置:** 單N溝道  
**耐壓(VDS):** 30V  
**柵極-源極電壓(VGS):** ±20V  
**門(mén)槽電壓閾值(Vth):** 1.7V  
**導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 8mΩ @ VGS=4.5V, 6mΩ @ VGS=10V  
**漏極電流(ID):** 70A  
**技術(shù):** Trench  

### 2. 參數(shù)說(shuō)明

- **耐壓(VDS):** 30V 表示該器件可以承受的最高工作電壓,適合低電壓應(yīng)用。
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±20V 是控制器件導(dǎo)通和關(guān)斷的電壓范圍。
- **門(mén)槽電壓閾值(Vth):** 1.7V 是控制器件開(kāi)始導(dǎo)通的門(mén)槽電壓,較低的閾值有助于在低電壓下實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)。
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 8mΩ @ VGS=4.5V 和 6mΩ @ VGS=10V 分別表示在給定的柵極-源極電壓下,器件導(dǎo)通時(shí)的電阻。低導(dǎo)通電阻有助于減少功率損耗和提高效率。
- **漏極電流(ID):** 70A 是器件可以持續(xù)通過(guò)的最大電流,適合高電流應(yīng)用場(chǎng)景。
- **技術(shù):** Trench 表示器件采用了溝槽結(jié)構(gòu)制造技術(shù),通常能提供較低的導(dǎo)通電阻和更好的熱特性。

### 3. 應(yīng)用示例

**領(lǐng)域和模塊適用性示例:**

1. **電源管理模塊:** 76132S-VB 可以用作低壓、高效率的電源開(kāi)關(guān),適合于筆記本電腦和便攜式電子設(shè)備的電源管理模塊。
  
2. **電動(dòng)工具和電動(dòng)車(chē)輛:** 在電動(dòng)工具和電動(dòng)車(chē)輛的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,該器件能夠提供高效能的電機(jī)控制和電池管理。

3. **電源分配單元:** 適用于服務(wù)器和通信設(shè)備中的電源分配單元,支持高性能和穩(wěn)定的電力轉(zhuǎn)換。

4. **充電器和逆變器:** 在各種類(lèi)型的充電器和逆變器中,使用該器件可以實(shí)現(xiàn)高效率的能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源輸出。

5. **LED驅(qū)動(dòng)和照明系統(tǒng):** 76132S-VB 可以作為L(zhǎng)ED驅(qū)動(dòng)器和照明系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件,幫助實(shí)現(xiàn)高亮度和節(jié)能的照明解決方案。

這些示例突顯了76132S-VB 在各種低電壓、高電流應(yīng)用中的廣泛應(yīng)用,利用其優(yōu)異的性能特征,支持多個(gè)領(lǐng)域的高效能電子設(shè)備和系統(tǒng)。

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