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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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76609D-VB TO251一款Single-N溝道TO251的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 76609D-VB TO251
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO251
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:

MOSFET型號:76609D-VB  
封裝:TO251  
配置:單N溝道  
耐壓(VDS):100V  
柵極-源極電壓(VGS):±20V  
閾值電壓(Vth):1.8V  
導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):110mΩ @ VGS=10V  
漏極電流(ID):15A  
技術(shù):Trench

### 參數(shù)說明:

- **封裝類型(Package):** TO251,適合中等功率密度的應(yīng)用,具有較小的封裝尺寸和良好的散熱性能。

- **配置(Configuration):** 單N溝道,適用于功率開關(guān)和電源控制電路設(shè)計。

- **耐壓(VDS):** 100V,適合處理中高壓電路的需求,如電源管理、馬達控制等應(yīng)用。

- **柵極-源極電壓(VGS):** ±20V,支持廣泛的柵極驅(qū)動電壓范圍,靈活應(yīng)對不同的控制電路設(shè)計。

- **閾值電壓(Vth):** 1.8V,設(shè)定了啟動MOSFET導(dǎo)通的門電壓。

- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 110mΩ @ VGS=10V,表現(xiàn)出較低的導(dǎo)通電阻,有助于減少功耗和提升效率。

- **漏極電流(ID):** 15A,適合中等功率應(yīng)用,能夠處理相對較高的電流負(fù)載。

- **技術(shù)特性(Technology):** Trench,采用溝道(Trench)結(jié)構(gòu),提升了器件的開關(guān)速度和可靠性。

### 應(yīng)用示例:

1. **電源轉(zhuǎn)換器:** 76609D-VB可用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和逆變器中,提供高效的能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的輸出電壓。

2. **電動工具:** 在電動工具的電機控制電路中,該MOSFET作為開關(guān)元件,能夠?qū)崿F(xiàn)高效的電動工具操作和能量回饋。

3. **電動車輛充電系統(tǒng):** 在電動汽車和電動車輛充電設(shè)備中,76609D-VB可以用于電池管理系統(tǒng)和充電控制電路,確保充電過程穩(wěn)定和高效。

76609D-VB結(jié)合了較低的導(dǎo)通電阻和適中的功率處理能力,適用于需要中等功率密度和可靠性能的各種功率電子應(yīng)用領(lǐng)域。

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